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NCE6012AS-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:SOP-8
供应商型号: NCE6012AS-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE6012AS-VB

NCE6012AS-VB概述


    产品简介


    基本介绍
    NCE6012AS 是一款高性能的 N 沟道 60V(D-S)功率 MOSFET,采用 TrenchFET® 技术。这款 MOSFET 主要用于同步整流器的低侧操作,特别适用于冷阴极荧光灯(CCFL)逆变器等应用。其独特的设计使其具有高效能、低损耗的特点,在多种电源管理应用中表现出色。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | : | : | : | : | : | : |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 60 V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) 0.012 @ VGS=10V | 0.015 @ VGS=4.5V | Ω |
    | 连续漏极电流 | ID 10.5 | A |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | 1 μA |
    | 输入电容 | CISS | 1100 pF |
    | 输出电容 | COSS | 90 pF |
    | 门电荷 | Qg | 10.5 16 | nC |
    工作环境
    - 最大工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 最大结温:150°C
    - 热阻:RthJA 为 38°C/W(最大值)

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    - Halogen-Free: 根据 IEC 61249-2-21 定义,无卤素材料确保环保。
    - TrenchFET® Power MOSFET: 采用先进的沟槽式场效应技术,提高了开关效率和热稳定性。
    - 优化的低侧同步整流器操作: 适用于需要高效转换的应用,例如电源管理和电机控制。
    - 严格测试: 所有产品经过 100% 的 Rg 和 UIS 测试,确保可靠性。

    应用案例和使用建议


    实际使用场景
    NCE6012AS 主要应用于 CCFL 逆变器,这类应用要求 MOSFET 具有高可靠性和快速开关性能。在高效率电源设计中,该器件可以显著降低功耗并提高整体系统效率。
    使用建议
    - 散热管理: 由于其较低的 RDS(on),使用时需注意合理散热以维持其正常工作温度范围。
    - 选择合适的驱动电路: 在高速开关应用中,选用适当的驱动电阻以优化开关性能和降低损耗。

    兼容性和支持


    兼容性
    - NCE6012AS 适用于标准 SO-8 封装,与其他同类型封装的器件兼容。
    厂商支持
    - 台湾 VBSemi 电子有限公司: 提供全面的技术支持和售后服务,包括在线技术支持和详尽的产品文档。

    常见问题与解决方案


    问题及解决方案
    1. 过热问题
    - 解决方案:确保适当的散热措施,如使用散热片或风扇辅助散热。
    2. 门电压不稳
    - 解决方案:使用稳定可靠的门驱动电路,并检查接线和连接器。
    3. 漏电流过高
    - 解决方案:检查并确保所有电气连接正确且符合规范。

    总结和推荐


    综合评估
    NCE6012AS 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具备高可靠性、低损耗和快速开关性能。在 CCFL 逆变器等应用中表现出色,适合对效率和可靠性有较高要求的电源管理系统。推荐在需要高效、低损耗的电源转换应用中使用该产品。
    结论
    综上所述,NCE6012AS MOSFET 不仅具备出色的性能,而且在实际应用中也表现出优异的可靠性和效率。因此,强烈推荐该产品用于需要高可靠性的电源管理应用中。

NCE6012AS-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,14mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
Id-连续漏极电流 12A
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE6012AS-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE6012AS-VB数据手册

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NCE6012AS-VB封装设计

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