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IRFZ48RPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: IRFZ48RPBF-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFZ48RPBF-VB

IRFZ48RPBF-VB概述

    IRFZ48RPBF-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册解读

    1. 产品简介


    IRFZ48RPBF-VB 是一款高性能 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由台湾 VBsemi Electronics Co., Ltd. 生产。该器件采用 TO-220AB 封装,具有表面贴装特性,广泛应用于开关电源、逆变器和电机驱动等领域。该器件符合 RoHS 和无卤素标准,支持逻辑电平门极驱动,并具备快速开关能力和动态耐受能力。

    2. 技术参数


    以下为 IRFZ48RPBF-VB 的关键技术规格和性能参数:
    - 工作电压范围:漏源电压 VDS = 60V
    - 连续漏极电流:TC = 25°C 时 ID = 50A;TC = 100°C 时 ID = 36A
    - 脉冲漏极电流:IDM = 200A(重复性额定值)
    - 最大功率耗散:TC = 25°C 时 PD = 150W;在 PCB 安装条件下 PD = 3.7W
    - 导通电阻 RDS(on):典型值为 0.024Ω @ VGS = 10V;0.028Ω @ VGS = 4.5V
    - 热阻抗:RthJA(最大)= 62°C/W;RthJC(最大)= 1°C/W
    - 反向恢复电压 dV/dt:最大值为 4.5V/ns
    - 雪崩能量 EAS:400mJ
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55°C 至 +175°C

    3. 产品特点和优势


    - 环保特性:符合 RoHS 指令和无卤素标准(IEC 61249-2-21 定义),适用于绿色电子制造。
    - 快速开关能力:快速开关时间(上升时间和下降时间分别小于 230ns 和 110ns),适合高频应用。
    - 逻辑电平驱动:低至 5V 的门极驱动电压,适合微控制器直接控制。
    - 高可靠性:最大功率耗散高,可承受瞬态高压冲击。
    - 小体积封装:TO-220AB 封装提供便捷的安装方式,支持 PCB 表面贴装。

    4. 应用案例和使用建议


    IRFZ48RPBF-VB 常用于以下应用场合:
    - 开关电源中的同步整流
    - 电机驱动电路中的开关元件
    - DC-DC 转换器的主控开关
    使用建议:
    - 在高频开关场景下,注意 PCB 设计以减少寄生电感和电容的影响。
    - 增加散热片以改善散热效果,特别是在高温环境下工作。
    - 配合专用驱动芯片(如 UCC27531)可以进一步提升整体性能。

    5. 兼容性和支持


    IRFZ48RPBF-VB 可与大多数通用栅极驱动 IC 高度兼容,支持工业标准的接口和驱动信号。此外,制造商提供了详尽的技术文档和应用指南,并通过服务热线(400-655-8788)提供全面技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中出现过热现象 | 增加外部散热器或改进 PCB 散热设计 |
    | 雪崩击穿导致损坏 | 使用 TVS 管保护器件免受高压瞬态冲击 |
    | 开关速度慢 | 确保驱动电路提供足够的栅极充电电流 |

    7. 总结和推荐


    IRFZ48RPBF-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,凭借其低导通电阻、快速开关特性和出色的热管理能力,广泛应用于电力电子领域。该器件尤其适合需要高效能和环保特性的现代电子产品。因此,我们强烈推荐此产品用于各种开关电源和电机控制场景。如果您对特定应用场景有任何疑问,请联系我们的技术支持团队以获得专业指导。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

    此分析基于 IRFZ48RPBF-VB 的技术手册,旨在帮助用户深入了解其性能和适用场景。

IRFZ48RPBF-VB参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
配置 -
Id-连续漏极电流 50A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRFZ48RPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFZ48RPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFZ48RPBF-VB IRFZ48RPBF-VB数据手册

IRFZ48RPBF-VB封装设计

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