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J687-ZK-E1-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-60A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.6Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: J687-ZK-E1-AY-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J687-ZK-E1-AY-VB

J687-ZK-E1-AY-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30V (D-S) MOSFET(P沟道30V漏源电压MOSFET)
    P-Channel 30V MOSFET是一种常用的半导体开关元件,主要用于开关电源、电机驱动器、直流/交流转换器和其他需要高功率控制的应用场景。这种MOSFET具有低导通电阻和快速开关速度,使其成为各种电力电子应用的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS -30 | V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) -1 | -3 | V |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS -1 | V |
    | 正向二极管电压 | VSD | -1.2 -1.5 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) 0.01 | 0.019 | Ω |
    | 输出电容 | Coss 715 | pF |
    | 转移电容 | Crss 715 | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg 160 | 240 | nC |

    产品特点和优势


    - 符合RoHS标准:这款MOSFET符合欧盟关于有害物质限制(RoHS)的指令要求,确保产品的环保性和安全性。
    - 低导通电阻:RDS(on)最低可达0.01Ω,在-10V栅源电压下可达到最佳性能。
    - 宽工作温度范围:能够在-55°C到175°C的温度范围内稳定工作。
    - 高可靠性:设计上考虑了多种应力条件下的可靠性,避免损坏。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:在高压开关电源中,该MOSFET可以用于控制输出电压,提供高效的电力传输。
    - 电机驱动器:适用于驱动各种类型的电动机,如步进电机、伺服电机等,提高电机运行效率。
    - 直流/交流转换器:作为关键组件用于将直流电转换为交流电,广泛应用于各种家电和工业设备。
    使用建议
    - 散热管理:由于该MOSFET具有较高的功率损耗,必须配备良好的散热装置以保持稳定工作。
    - 合理选择栅极驱动器:为了保证MOSFET能够快速、高效地开启和关闭,选择合适的栅极驱动器至关重要。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此MOSFET符合行业标准封装尺寸,如TO-252,可以轻松集成到现有的电路设计中。
    - 技术支持:制造商提供了详尽的技术文档和支持,包括用户手册、设计指南和常见问题解答。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET出现过热现象。
    解决办法:检查散热片是否安装正确并良好接触,确保工作环境温度不超过最大限制。
    2. 问题:开关时噪声较大。
    解决办法:优化电路布局,减少杂散电感和寄生电容的影响,选择合适的栅极电阻值。

    总结和推荐


    综上所述,P-Channel 30V MOSFET凭借其低导通电阻、宽工作温度范围和高可靠性等特点,非常适合用于高压、高功率的电力电子应用场合。建议在进行高压开关电源、电机驱动器和直流/交流转换器的设计时选用该产品,以确保系统的高效和稳定性。

J687-ZK-E1-AY-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,15mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 60A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J687-ZK-E1-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J687-ZK-E1-AY-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J687-ZK-E1-AY-VB J687-ZK-E1-AY-VB数据手册

J687-ZK-E1-AY-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
2500+ ¥ 1.6556
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