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K2925STL-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO252\n用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
供应商型号: K2925STL-E-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2925STL-E-VB

K2925STL-E-VB概述


    产品简介


    N-Channel 60 V MOSFET(沟道型60V MOSFET)
    该产品是一款高性能的N沟道功率MOSFET,主要应用于直流/直流转换器、直流/交流逆变器及电机驱动等领域。N-Channel 60 V MOSFET是通过先进的沟槽制造技术制成,确保其在高电压和高电流条件下的稳定性和可靠性。

    技术参数


    - 电压参数
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 60V
    - 最大栅源电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 电流参数
    - 漏极连续电流 \(ID\):
    - 在25°C时为18A
    - 在70°C时为14A
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): 25A
    - 电阻参数
    - 导通状态下漏源电阻 \(R{DS(on)}\):
    - 在 \(V{GS}=10V\) 时为0.073Ω
    - 在 \(V{GS}=4.5V\) 时为0.085Ω
    - 电容参数
    - 输入电容 \(C{iss}\): 660pF (在 \(V{DS}=30V, V{GS}=0V, f=1MHz\) 条件下)
    - 输出电容 \(C{oss}\): 85pF
    - 反向传输电容 \(C{rss}\): 40pF
    - 其他参数
    - 最大功率耗散 \(PD\): 41.7W (在 \(TC=25°C\) 条件下)

    产品特点和优势


    1. 高效的功率管理: 高度集成的沟槽型FET结构,使该MOSFET具备出色的电流控制能力和低导通电阻,非常适合高效率的应用场合。
    2. 优秀的温度稳定性: 具备优良的热阻特性,在各种工作环境下均能保持稳定性能。
    3. 严格的测试标准: 100%的栅极电阻和UIS测试确保其在极端条件下的可靠性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 直流/直流转换器: 由于该MOSFET具有较高的耐压能力和较低的导通电阻,特别适合用于高频直流/直流转换器,提高系统效率。
    - 电机驱动: 该MOSFET能够提供高频率和高速度的开关操作,是电机驱动的理想选择。
    使用建议:
    - 散热管理: 建议使用大面积散热片以保证良好的热交换,特别是在高电流环境下。
    - 电路布局: 设计时需注意合理布局电源线路,减少寄生电感和电容的影响,提高系统整体性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 本产品适用于多种电路设计,与大多数常用的PCB布局兼容。
    - 支持与维护: 厂商提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的安装指南和技术文档,帮助用户快速上手。

    常见问题与解决方案


    1. 高温运行问题:
    - 问题描述: 在高温环境中运行,MOSFET性能下降。
    - 解决方案: 使用外部散热片,增加散热面积,降低温度。
    2. 开关速度问题:
    - 问题描述: 开关速度较慢,影响系统响应时间。
    - 解决方案: 减少栅极电阻 \(Rg\),加快开关速度,但需注意增加损耗。
    3. 过电流保护:
    - 问题描述: 系统出现短路,可能导致MOSFET损坏。
    - 解决方案: 使用保险丝或其他过流保护器件,防止电流过大损坏器件。

    总结和推荐


    总体而言,这款N-Channel 60 V MOSFET是一款性能优异且可靠性高的电子元件。其具备出色的电流控制能力、良好的温度稳定性和严格的质量检测标准。适合应用于各种高要求的工业场景中。因此,强烈推荐给对电子元件性能有较高要求的设计者和工程师。

K2925STL-E-VB参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 73mΩ@10V,85mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2925STL-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2925STL-E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2925STL-E-VB K2925STL-E-VB数据手册

K2925STL-E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.36
100+ ¥ 1.2593
500+ ¥ 1.2089
2500+ ¥ 1.1586
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型号 价格(含增值税)
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