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UPA1912TE-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-4.8A,RDS(ON),49mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: UPA1912TE-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UPA1912TE-VB

UPA1912TE-VB概述


    产品简介


    产品类型及主要功能
    本文介绍的产品为P-Channel 30-V (D-S) MOSFET,型号为UPA1912TE。这是一种沟槽场效应晶体管(TrenchFET®),主要用于负载开关应用。该产品具有高可靠性、低导通电阻等特点,能够有效提高系统的整体效率和性能。
    应用领域
    这种MOSFET广泛应用于各种负载开关场合,如电源管理、电机控制和照明系统等。此外,它还可以用于需要高效功率转换的应用中。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):最大值30V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):最大值4.8A(在25°C时)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):最大值20A
    - 栅极泄漏电流 (IGSS):最大值±100nA
    - 零栅压漏电流 (IDSS):最大值-1µA
    - 导通状态漏源电阻 (RDS(on)):
    - 在VGS=-10V时为0.049Ω
    - 在VGS=-4.5V时为0.054Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - 在VDS=-15V、VGS=-10V时为10nC
    - 在VDS=-15V、VGS=-4.5V时为5.1nC
    - 工作环境温度范围:-55°C到150°C
    - 热阻抗:最高55°C/W(Junction-to-Ambient),最高34°C/W(Junction-to-Foot)

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:通过设计保证可靠性,不依赖于生产测试。
    2. 低导通电阻:漏源电阻低至0.049Ω(在VGS=-10V时),极大减少了损耗。
    3. 快速开关性能:快速的开关时间和良好的动态特性使得MOSFET在高频应用中表现出色。
    4. 环境友好:不含卤素,符合IEC 61249-2-21标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    UPA1912TE常用于负载开关,特别是在那些需要高可靠性和高效能转换的场合。例如,在一个电机控制系统中,MOSFET被用来控制电机的供电路径,确保电机平稳启动和停止。
    使用建议
    - 散热设计:由于其较高的热阻,建议在应用时采取适当的散热措施,以避免过热损坏。
    - 驱动电路:确保驱动电路设计合理,以降低噪声和提高稳定性。
    - 负载保护:在关键应用中,考虑添加额外的保护措施,如保险丝或瞬态电压抑制器。

    兼容性和支持


    该产品设计适用于表面贴装,能够在标准的FR4基板上进行焊接。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,包括用户手册、技术咨询和售后维修。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET过热。
    - 解决办法:增加散热片或改善散热通道,确保良好的空气流通。
    2. 问题:导通电阻增大。
    - 解决办法:检查连接和驱动电路,确保栅极驱动电压达到规定值。
    3. 问题:MOSFET失效。
    - 解决办法:确认负载条件和驱动信号正确无误,必要时更换损坏的元件。

    总结和推荐


    UPA1912TE是一款高性能的P-Channel 30-V MOSFET,具有出色的导通电阻、快速的开关性能和可靠的高温操作能力。其广泛的适用范围和兼容性使其成为许多电子系统设计的理想选择。强烈推荐在高效率要求和严苛工作环境的应用中使用此产品。

UPA1912TE-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 49mΩ@10V,54mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 4.8A
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UPA1912TE-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UPA1912TE-VB数据手册

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UPA1912TE-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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