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WFF830-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: WFF830-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFF830-VB

WFF830-VB概述

    高效Power MOSFET的产品综述

    一、产品简介


    VBsemi的WFF830是一款高性能的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。这款产品以其出色的低导通电阻和极低的栅极电荷设计,特别适合用于服务器、电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路以及照明控制领域,包括高强光灯(HID)和荧光灯电子镇流器。此外,它还广泛应用于工业领域中的高压高能需求场景。

    二、技术参数


    以下为VBsemi WFF830的关键技术参数:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压(VDS) | - | 650 | - | V |
    | 栅源阈值电压(VGS(th)) | 2.5 | 4.0 | 5.0 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | - | 1.0 | - | Ω |
    | 漏极电流(ID) | - | - | 45 | A |
    | 工作温度范围(TJ, Tstg) | -55 | - | 150 | °C |
    | 有效热阻(RthJA) | - | - | 63 | °C/W |
    其他关键参数如栅极电荷(Qg)仅为13nC,输入电容(Ciss)极低,仅为30pF左右,确保了其卓越的开关性能和效率。

    三、产品特点和优势


    1. 低导通损耗:超低的RDS(on)值使得器件在工作时的导通损耗显著降低。
    2. 高效能表现:低输入电容(Ciss)和极低的栅极电荷(Qg)保证了开关过程中能量损耗最小化。
    3. 优异的动态性能:快速开关能力和优化的反向恢复特性使器件非常适合高频应用。
    4. 高可靠性:经过严格测试,可承受高达900V的脉冲电压,同时具备优秀的热管理能力。

    四、应用案例和使用建议


    - 在服务器和通信电源系统中,WFF830可用于降压转换器、逆变器和其他需要高效能的地方。为了最大化效率,建议选择适当的驱动电路并确保良好的散热条件。
    - 对于照明控制系统,尤其是HID灯和荧光灯的应用,由于WFF830支持更高的输出功率,可以减少系统组件数量,从而简化设计。

    五、兼容性和支持


    VBsemi提供全面的技术支持服务,包括产品文档下载、样品申请和技术咨询服务。此外,公司承诺所有产品符合RoHS标准,并且无卤素化,确保环保友好型生产。

    六、常见问题与解决方案


    1. 问题:如何避免过热损坏?
    解决方案:确保正确安装散热片或采用有效的空气流通措施来降低器件温度。

    2. 问题:为何出现异常发热现象?
    解决方案:检查电路布局是否存在寄生电感,调整驱动电阻以优化开关速度。

    七、总结和推荐


    总体而言,VBsemi WFF830凭借其紧凑的设计、高效的能源利用率以及广泛的应用范围,在高压电力电子应用中表现优异。对于需要高性能且可靠性的客户来说,这是一款值得推荐的产品。通过细致的设计考虑及严格的质量控制,WFF830不仅能满足当前市场需求,也为未来技术发展提供了坚实的基础。

WFF830-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 7A
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFF830-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFF830-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFF830-VB WFF830-VB数据手册

WFF830-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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