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IRFZ20-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,25A,RDS(ON),80mΩ@10V,mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~4Vth(V) 封装:TO220在工业自动化领域,该产品可用于工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块,提高系统的运行效率和稳定性。
供应商型号: IRFZ20-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFZ20-VB

IRFZ20-VB概述

    电子元器件产品技术手册:N-Channel 60V(D-S) MOSFET IRFZ20-VB

    1. 产品简介


    产品类型:
    N-Channel 60V(D-S) MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:
    - 高动态dV/dt评级
    - 快速开关能力
    - 易于并联操作
    - 简化的驱动要求
    应用领域:
    广泛应用于电源管理、电动车辆控制系统、电机驱动系统以及各种需要高速开关的电力电子应用场合。

    2. 技术参数


    - 电压等级:
    VDS (Drain-Source Breakdown Voltage): 60V
    - 电流特性:
    IDM (Pulsed Drain Current): 68A
    ID (Continuous Drain Current): 20A (TC = 25 °C)
    ID (Continuous Drain Current): 12A (TC = 100 °C)
    - 电阻特性:
    RDS(on) (On-State Resistance): 0.072Ω (VGS = 10V, ID = 10A)
    - 电容特性:
    Ciss (Input Capacitance): 640pF
    Coss (Output Capacitance): 360pF
    Crss (Reverse Transfer Capacitance): 79pF
    - 热阻抗:
    RthJA (Maximum Junction-to-Ambient Thermal Resistance): 62°C/W
    - 其他参数:
    EAS (Maximum Single Pulse Avalanche Energy): 100mJ

    3. 产品特点和优势


    - 快速开关: IRFZ20-VB具有较高的动态dV/dt评级和快速的开关时间,这使得它非常适合于高频应用,能够有效减少开关损耗。
    - 易于并联操作: 其简单的驱动要求使其易于并联操作,提升了整体电路的效率和可靠性。
    - 高可靠性: 出色的热管理和坚固的封装设计使其能够在恶劣的环境下长期稳定运行。
    - 简化设计: 易于并联操作及简化的驱动要求降低了系统的复杂性,有利于实现紧凑和高效的设计。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    该MOSFET常用于各种电源转换电路中,如DC-DC转换器、电池管理系统、电动机驱动等。它特别适用于那些需要高频率开关的应用场合,如电动车辆、光伏逆变器等。
    使用建议:
    - 在选择栅极驱动器时,确保其能够满足器件的快速开关要求。
    - 由于具有较大的输入电容(Ciss),在设计栅极驱动电路时需考虑充电和放电的时间。
    - 为提高热性能,建议采用合适的散热措施,例如安装散热片。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    该产品具有广泛的兼容性,可以与其他标准电源组件和控制电路无缝集成。例如,在直流-直流变换器设计中可与多种控制器配合使用。
    - 技术支持:
    制造商提供详尽的技术文档和全面的在线支持,包括详细的特性曲线图、典型电路图以及常见问题解答。如有进一步的需求,可以通过官方渠道联系专业的技术支持团队。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关过程中发热严重 | 检查是否安装了足够的散热装置,并优化散热路径;减小脉冲电流以降低热耗。 |
    | 输出不稳定 | 确保输入电压符合规定范围;检查栅极驱动器是否正确连接。 |
    | 寿命较短 | 严格遵守操作温度范围限制;避免过载运行。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    IRFZ20-VB是一款性能优异的N-Channel 60V MOSFET,具备出色的快速开关能力和高可靠性。其易并联操作的特性使设计更加灵活,适用于多种工业应用。
    推荐使用:
    鉴于其优秀的性能表现,强烈推荐在高频开关应用中使用IRFZ20-VB,特别是在需要长时间稳定运行且对热管理有较高要求的场合。

IRFZ20-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 25A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~4V
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRFZ20-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFZ20-VB数据手册

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IRFZ20-VB封装设计

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