处理中...

首页  >  产品百科  >  FB13N50A-VB

FB13N50A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,9A,RDS(ON),500mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 SJ_Multi-EPI技术和500m?的导通电阻,使其适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现高效能的能量转换。
供应商型号: FB13N50A-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FB13N50A-VB

FB13N50A-VB概述

    # FB13N50A-VB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    FB13N50A-VB 是一款由VBsemi生产的高性能N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET以其低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg)著称,使其成为各类电源转换应用的理想选择。它的主要功能包括低电压驱动能力、高开关速度和出色的热稳定性。FB13N50A-VB广泛应用于服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源供应(PFC)以及各种照明系统如高强度放电灯(HID)和荧光灯。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压(VDS) | - | 600 | - | V |
    | 漏源导通电阻(RDS(on))| - | 0.50 | - | Ω |
    | 饱和电流(ID) | - | 15 | - | A |
    | 高峰脉冲电流(IDM) | - | - | 186 | A |
    | 最大漏源耗散功率(PD)| - | 100 | - | W |
    | 工作温度范围(TJ) | -55 | 150 | +150 | °C |
    | 栅源阈值电压(VGS(th))| 2 | 4 | - | V |

    产品特点和优势


    FB13N50A-VB具有以下显著优势:
    - 低导通电阻(RDS(on)):这使得其在高电流负载下具有更低的损耗,特别适合用于高频开关电路。
    - 低输入电容(Ciss):这有助于减少开关损耗,提高能效。
    - 超低栅极电荷(Qg):这对于降低驱动损耗和改善开关性能非常关键。
    - 低图示品质因数(FOM):低FOM表明这种MOSFET在开关操作中的整体性能优越。

    应用案例和使用建议


    FB13N50A-VB MOSFET的应用十分广泛,包括服务器和电信设备中的电源供应系统。这些系统通常要求电源转换效率高,且能承受较大的电流负载。以下是几个具体的应用实例及建议:
    - 服务器电源供应:在服务器电源供应系统中,FB13N50A-VB可以有效地降低能量损失,提高电源效率。由于其低RDS(on),在处理较大电流时,可减少发热,延长系统的寿命。

    - 照明设备:对于高强度放电灯和荧光灯等照明设备,FB13N50A-VB能够提供快速响应和稳定的驱动能力,确保照明系统的可靠运行。
    使用建议:
    - 在使用FB13N50A-VB时,确保良好的散热措施以避免过热。建议使用适当的散热器来增加散热面积。
    - 尽量缩短引线长度以减少寄生电感,从而提升开关性能。

    兼容性和支持


    FB13N50A-VB设计上与常见的标准封装(如TO-220AB)兼容,这使得它容易集成到现有系统中。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,确保用户在安装和使用过程中得到充分的帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:为什么设备在运行一段时间后出现温度升高?
    解决方案:可能是因为散热不良。建议使用更大面积的散热器,或改进散热通道设计。
    - 问题:设备启动时出现不稳定情况。
    解决方案:检查供电线路是否足够稳定,确认栅极驱动信号的波形是否正常。

    总结和推荐


    总体来说,FB13N50A-VB是一款性能优越、适用于多种高压应用场合的N沟道功率MOSFET。其优秀的开关特性和热稳定性使其成为各种电力转换应用的理想选择。基于上述分析,我们强烈推荐FB13N50A-VB作为高效能电力转换电路中的关键组件。如果您需要进一步的信息,可以联系服务热线:400-655-8788。

FB13N50A-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 9A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ@ 10V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FB13N50A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FB13N50A-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FB13N50A-VB FB13N50A-VB数据手册

FB13N50A-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 68.02
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336