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K1033-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,50A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO220 是一款单通道N沟道场效应管,具有适中的电压容限和漏极电流,适用于中功率应用场景。
供应商型号: K1033-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K1033-VB

K1033-VB概述

    K1033-VB N-Channel 60 V MOSFET 技术手册

    产品简介


    K1033-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N-Channel 60 V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它是一款表面贴装(Surface Mount)器件,适用于各种电子电路设计。这款 MOSFET 具备低栅极电荷、快速开关速度和逻辑电平栅极驱动的特点,使其特别适合用于高频开关电源、电机驱动和电池管理等应用领域。

    技术参数


    - 封装:TO-220AB
    - 引脚配置:G(栅极)、D(漏极)、S(源极)
    - 额定电压:VDS = 60 V
    - 连续漏极电流:ID = 50 A
    - 脉冲漏极电流:IDM = 200 A
    - 栅源阈值电压:VGS(th) = 1.0 - 2.5 V
    - 零栅源电压漏极电流:IDSS = 25 μA @ VDS = 60 V
    - 导通电阻:
    - RDS(on) = 0.024 Ω @ VGS = 10 V
    - RDS(on) = 0.028 Ω @ VGS = 4.5 V
    - 最大功耗:
    - PC = 150 W (TC = 25 °C)
    - PC (PCB Mount) = 3.7 W (TA = 25 °C)
    - 反向恢复峰值电压:dV/dt = 4.5 V/ns
    - 操作温度范围:TJ, Tstg = -55 to +175 °C
    - 热阻抗:
    - RthJA = 62 °C/W
    - RthJC = 1.0 °C/W

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) 低至 0.024 Ω,使得功率损耗极低,适合高效率应用。
    2. 快速开关特性:具备出色的开关速度,减少开关损耗,提高系统效率。
    3. 逻辑电平栅极驱动:便于微控制器直接驱动,简化电路设计。
    4. 高温稳定性:在广泛的温度范围内保持稳定性能,适合工业级应用。
    5. 无卤素材料:符合 IEC 61249-2-21 和 RoHS 标准,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    - 高频开关电源:快速开关特性和低导通电阻使 MOSFET 在开关电源中表现优异。
    - 电机驱动:逻辑电平栅极驱动使其易于控制,适用于小型电机驱动。
    - 电池管理:高温稳定性使其在严苛环境中仍能可靠运行,适用于电池管理系统。
    使用建议:
    - 在使用过程中要注意散热,确保 MOSFET 的温度不超过最高允许值。
    - 选择合适的栅极驱动电阻以避免过高栅极电压引起的损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:K1033-VB 具有标准 TO-220AB 封装,与其他类似封装的器件兼容。
    - 技术支持:VBsemi 提供详尽的技术支持文档和客户支持热线 400-655-8788,帮助用户解决问题和提供必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 过温保护:
    - 问题:温度超过 175 °C。
    - 解决方案:增加散热片或改善 PCB 设计以提高散热效率。

    2. 电流限制:
    - 问题:持续电流超出规定范围。
    - 解决方案:在电路设计中加入电流检测电阻,并在必要时添加外部限流电路。
    3. 栅极电压过高:
    - 问题:VGS 超过 20 V。
    - 解决方案:使用合适的栅极电阻或外部保护电路来防止过压。

    总结和推荐


    K1033-VB N-Channel 60 V MOSFET 是一款高性能、可靠且环保的电子元器件,适用于多种工业应用。其出色的开关性能、低导通电阻以及广泛的操作温度范围使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐用于需要高效、高频率和高可靠性的应用场合。
    通过以上分析,K1033-VB MOSFET 是一个值得信赖的产品,无论是在高频开关电源还是电机驱动系统中都有卓越的表现。

K1033-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Id-连续漏极电流 50A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

K1033-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K1033-VB数据手册

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K1033-VB封装设计

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