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JCS5N50RT-O-R-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: JCS5N50RT-O-R-N-B-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS5N50RT-O-R-N-B-VB

JCS5N50RT-O-R-N-B-VB概述


    产品简介


    JCS5N50RT-O-R-N-B是一款高性能N沟道增强型功率MOSFET(场效应晶体管),专为高效能开关电源设计。此器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻(RDS(on))和极低的门极电荷(Qg),能够显著降低驱动电路的设计复杂度。此外,该产品具有优异的雪崩能力和动态dv/dt耐受性,在高压及高频开关应用中表现出色。
    主要功能:
    - 支持高电压(最大650V)和高电流输出
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 具备优秀的热管理能力
    - 完全符合RoHS标准,环保友好
    应用领域:
    - 开关电源模块
    - 工业逆变器
    - 驱动电机控制
    - 高效照明系统
    - 新能源汽车驱动模块

    技术参数


    以下是该产品的关键技术规格及性能指标:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | - | 100 | µA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.95 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 320 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 75 | - | pF |
    | 转移电容 | Crss | - | - | - | pF |
    | 总门极电荷 | Qg | - | 15 | - | nC |
    | 门极电荷(Qg) | Qg | - | 15 | - | nC |
    | 最大连续漏极电流 | ID | - | 5 | 4 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 16 | A |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷:Qg仅需15nC,降低了驱动功耗并简化了驱动电路设计。
    2. 高可靠性:出色的雪崩耐久性与动态dv/dt能力使其适用于恶劣的工作环境。
    3. 集成特性:全面描述的Ciss、Coss、Crss和RDS(on)特性,便于用户快速适配电路需求。
    4. 环保设计:完全符合RoHS标准,适用于绿色制造。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 在开关电源中作为主功率开关管,例如高频DC-DC转换器。
    - 在逆变器模块中作为电机驱动器件。
    - 用于新能源汽车电池管理系统中的过流保护。
    使用建议:
    1. 确保电路设计中考虑适当的散热措施以防止高温导致失效。
    2. 选择合适的驱动电路配置以优化开关速度与功耗。
    3. 在高功率应用中配合热敏电阻监测温度变化。

    兼容性和支持


    - 兼容性:支持多种封装形式(如TO-220AB、TO-252AA等),便于客户根据具体需求选择。
    - 支持服务:VBsemi提供详尽的技术文档、在线客服支持以及定期更新的固件支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致性能下降 | 加强散热设计或使用更大的散热片。 |
    | 开关速度慢 | 优化门极电阻值或更换更高效的驱动芯片。 |
    | 设备启动失败 | 确认输入电压是否在正常范围内。 |

    总结和推荐


    JCS5N50RT-O-R-N-B以其卓越的性能和灵活性成为一款值得信赖的N沟道功率MOSFET。其紧凑的设计、低损耗以及对恶劣环境的适应性使其在工业和消费级应用中表现优异。推荐广泛应用于需要高效率和高可靠性的场合。如果您正在寻找一款高性能、低功耗的功率开关管,这款产品无疑是一个理想的选择。
    结论:强烈推荐使用JCS5N50RT-O-R-N-B。

JCS5N50RT-O-R-N-B-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

JCS5N50RT-O-R-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS5N50RT-O-R-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS5N50RT-O-R-N-B-VB JCS5N50RT-O-R-N-B-VB数据手册

JCS5N50RT-O-R-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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