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K806TK4A60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 具有高漏源极电压和适中的栅源极电阻,适用于各种电源模块,包括开关电源、逆变器等。
供应商型号: K806TK4A60-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K806TK4A60-VB

K806TK4A60-VB概述

    K806TK4A60 N-Channel 650V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    K806TK4A60是一款高性能的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET),以其卓越的开关特性和可靠性广泛应用于工业控制、新能源汽车、电源管理及通信设备等领域。该产品具有低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(VDS)的特点,能够在高压和高电流环境下提供稳定的性能表现。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压(VDS) | 650 | V |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 1.7 | Ω (VGS=10V)|
    | 总栅极电荷(Qg) | 48 | nC |
    | 栅极-源极电荷(Qgs) | 12 | nC |
    | 栅极-漏极电荷(Qgd) | 19 | nC |
    | 最大连续漏极电流(ID) | 4.2 | A |
    | 最大峰值漏极电流(IDM) | 18 | A |
    | 最高工作温度(TJ) | 150 | °C |
    其他关键参数还包括:封装为TO-220AB,符合RoHS指令;具有低门极电荷(Qg)特性,简化驱动要求;支持重复雪崩能量(EAR)高达6mJ,适合恶劣工作环境。

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷(Qg):显著减少驱动电路的设计复杂度,降低功耗。
    2. 高可靠性和鲁棒性:通过了门极、雪崩及动态dV/dt测试,确保在严苛条件下的稳定运行。
    3. 精确标定参数:完全定义的电容特性、雪崩电压和电流使得设计更加可预测。
    4. 环保合规:满足RoHS指令和无卤素标准,适用于绿色环保需求。

    应用案例和使用建议


    K806TK4A60 MOSFET在以下场景中表现出色:
    - DC-DC转换器:利用其快速开关性能提升效率。
    - 逆变器系统:支持高电压转换,满足工业级需求。
    - 电池管理系统(BMS):结合低导通电阻特性,优化能效。
    建议用户在选择具体应用时注意散热设计,合理规划布局以减少寄生效应,并根据实际负载调整驱动电阻(RG)。

    兼容性和支持


    该产品可与多种主流控制器和保护器件无缝配合,兼容性强。厂商提供详尽的技术文档和技术支持服务,包括在线培训和技术论坛,助力客户高效开发新产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗偏高 | 减少门极电荷Qg,优化驱动电路 |
    | 散热不良导致性能下降 | 改进散热设计,增加外部散热片 |
    | 雪崩事件频繁发生 | 确保电路设计符合雪崩耐受能力限制 |

    总结和推荐


    K806TK4A60 N-Channel MOSFET凭借出色的电气性能和可靠性,在多个领域展现了强大的竞争优势。它不仅能够有效降低系统成本,还通过其优良的设计增强了系统的整体效率。因此,强烈推荐此款产品用于需要高性能和高可靠性的应用场景中。如果您对产品有任何疑问或需要进一步的支持,请随时联系我们的服务热线400-655-8788。

K806TK4A60-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 4A
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.2Ω@ 10V
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K806TK4A60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K806TK4A60-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K806TK4A60-VB K806TK4A60-VB数据手册

K806TK4A60-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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