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NCE3416-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V);0.45~1Vth(V) 封装:SOT23-3 \n 一款单 N 型场效应晶体管,适用于多种应用场景。其特点包括低阈值电压、低漏极-源极导通电阻和高漏极-源极电压。
供应商型号: NCE3416-VB SOT23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NCE3416-VB

NCE3416-VB概述

    NCE3416 N-Channel 20V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NCE3416 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 20V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有多种独特的设计特点和应用场景。这款 MOSFET 主要用于直流-直流转换器以及便携式应用中的负载开关。凭借其高性能和稳定性,它在多个电子应用领域表现出色。

    技术参数


    NCE3416 的关键技术参数如下所示:
    - 额定电压 (VDS): 20V
    - 漏极导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 4.5V 时为 0.028Ω
    - VGS = 2.5V 时为 0.042Ω
    - VGS = 1.8V 时为 0.050Ω
    - 最大漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C 时为 6A
    - TC = 70°C 时为 5.1A
    - 总栅极电荷 (Qg):
    - VDS = 10V, VGS = 5V, ID = 5.0A 时为 12-18nC
    - VDS = 10V, VGS = 4.5V, ID = 5.0A 时为 8.8-14nC
    - 热阻抗 (RthJA): 最大值为 100°C/W
    - 工作温度范围: -55°C 到 +150°C
    - 封装形式: SOT-23

    产品特点和优势


    NCE3416 具备以下显著特点和优势:
    - 环保材料: 符合 IEC 61249-2-21 和 RoHS 规范。
    - 高效性能: 在不同电压条件下具备低漏极导通电阻 (RDS(on)),提高能效。
    - 快速响应: 具备优异的栅极电荷特性和快速的开关时间。
    - 高可靠性: 100% 测试保证,确保每个产品都符合标准。

    应用案例和使用建议


    NCE3416 适用于多种应用场景,具体包括:
    - DC/DC 转换器: 在便携式电源设备中提供高效能量转换。
    - 负载开关: 在便携设备中作为电源管理的开关元件。
    建议在使用过程中注意散热管理,以确保长时间稳定运行。建议采用 SOT-23 封装并焊接在 1" x 1" 的 FR4 板上,以保持良好热性能。

    兼容性和支持


    NCE3416 适用于多种标准电路板布局,便于与其他电子元件集成。厂商提供了详细的规格和技术支持,包括热管理指南和设计建议。如需更多技术支持,请联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 设备过热。
    - 解决方案: 请确保设备安装在良好的散热环境中,必要时可增加散热片或冷却风扇。
    - 问题: 长期使用中出现漏电流增大。
    - 解决方案: 定期检查设备连接,确保接触良好。如有损坏,及时更换。

    总结和推荐


    综上所述,NCE3416 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 MOSFET,适用于多种便携式电子设备。它的低 RDS(on) 和优异的热性能使其成为电子工程师的理想选择。如果您正在寻找一种能够在严格环境中保持稳定运行的 MOSFET,NCE3416 是一个值得考虑的选择。强烈推荐此产品给需要高效、可靠的电子元件的应用工程师。

NCE3416-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 8V
Id-连续漏极电流 6A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 450mV~1V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NCE3416-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NCE3416-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NCE3416-VB NCE3416-VB数据手册

NCE3416-VB封装设计

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