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UT75N02-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: UT75N02-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT75N02-VB

UT75N02-VB概述

    # UT75N02 N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT75N02 是一款由VBsemi公司生产的N沟道30V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力控制应用。该产品采用了先进的TrenchFET®工艺制造,具有低导通电阻和高可靠性等特点。主要用于OR-ing(或运算)、服务器及DC/DC转换电路等领域。

    技术参数


    极限参数
    | 参数 | 符号 | 极限值 | 单位 |

    | 漏极-源极电压 | VDS | 30 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏极电流 (TJ = 175 °C) | ID | 120 | A |
    | 最大功率耗散 | PD | 250 | W |
    规格参数
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极击穿电压 | VDS | - | - | 30 | V |
    | 栅极-源极阈值电压 | VGS(th) | 1.0 | 2.5 | - | V |
    | 导通状态漏极电流 | ID(on) | - | - | 90 | A |
    | 导通状态电阻 | RDS(on) | - | 0.003 | 0.004 | Ω |
    | 输出电容 | COSS | 725 | - | pF |
    | 输入电容 | CISS | 3100 | - | pF |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) 在VGS=10V时仅为0.003Ω,在VGS=4.5V时为0.004Ω,这使得该MOSFET在高频开关应用中具有优异的效率。
    2. 高性能:最大漏极电流达到120A,峰值脉冲漏极电流为380A,能承受大电流冲击。
    3. 耐高温:最高工作温度可达175℃,并且符合RoHS标准。
    4. 测试保证:所有产品经过100% Rg和UIS测试,确保产品质量稳定可靠。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - OR-ing电路:UT75N02可以在电源冗余系统中用于实现“或运算”,确保在其中一个电源失效时,其他电源能够自动接管供电。
    - 服务器:用于高可靠性的服务器电源管理,以提高系统的整体稳定性。
    - DC/DC转换电路:在DC/DC转换器中,UT75N02可以作为开关元件,帮助实现高效的电压转换。
    使用建议
    - 确保电路设计中考虑散热问题,特别是在高功率应用中。
    - 建议在电路板上采用适当的布局方式,使MOSFET的热阻降至最低。
    - 考虑到其最大功率耗散,使用合适的散热器以避免过热。

    兼容性和支持


    UT75N02支持表面贴装技术(SMT),适用于多种电子设备。厂商提供了详尽的技术文档和支持,包括设计指南和故障排除手册。此外,客户可以通过400-655-8788服务热线获得技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:长时间使用后,MOSFET发热严重。
    - 解决方案:检查散热措施是否到位,必要时更换更大尺寸的散热器。

    2. 问题:电源电压波动导致MOSFET损坏。
    - 解决方案:增加稳压电路,确保输入电压稳定。

    3. 问题:电路噪声过大。
    - 解决方案:增加滤波电容,减少噪声干扰。

    总结和推荐


    UT75N02 N沟道30V MOSFET凭借其优异的导通特性和高温耐受能力,在各种电力控制应用中表现出色。其高效的工作性能、良好的稳定性以及较高的可靠性,使其成为电力控制和管理应用的理想选择。强烈推荐使用此产品,特别是对于需要大电流和高可靠性的应用场景。

UT75N02-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 120A
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
配置 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT75N02-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT75N02-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT75N02-VB UT75N02-VB数据手册

UT75N02-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
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