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WFF2N65-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: 14M-WFF2N65-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFF2N65-VB

WFF2N65-VB概述

    # WFF2N65 N-Channel 650V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    WFF2N65 是一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有低导通电阻(RDS(on))和高击穿电压(VDS)。此器件专为高效率电源转换、逆变器及电机驱动等应用设计。其卓越的开关特性和热稳定性使其成为工业控制、消费电子和通信系统的核心组件。
    主要特点:
    - 工作电压高达 650V
    - 低导通电阻(典型值:4.0Ω)
    - 高速开关性能
    - 符合 RoHS 和无卤标准
    应用领域:
    - 开关电源(SMPS)
    - 电机驱动
    - 不间断电源(UPS)
    - 工业控制设备

    2. 技术参数


    以下是 WFF2N65 的关键技术参数,详细列出了其性能指标:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 击穿电压 | VDS | 650 | - | - | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 4.0 | - | Ω |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 11 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 2.3 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 5.2 | - | nC |
    | 漏极连续电流 | ID | - | 1.28 | - | A |
    | 峰值脉冲电流 | IDM | - | 8 | - | A |
    | 热阻抗(结到环境) | RthJA | - | 65 | - | °C/W |
    | 热阻抗(结到外壳) | RthJC | - | 2.1 | - | °C/W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | 150 | - | °C |

    3. 产品特点和优势


    独特功能:
    - 低栅极电荷:减少了驱动电路的设计复杂度,降低了功耗。
    - 高可靠性:具备优异的门极、雪崩及动态 dv/dt 耐受能力。
    - 完全表征:提供精确的电容、雪崩电压和电流数据。
    市场竞争力:
    - 优秀的热管理性能,延长器件使用寿命。
    - 适合高频率开关应用,提高能效。
    - 符合环保标准,适用于全球市场。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    WFF2N65 广泛应用于高效能开关电源中,例如:
    - AC-DC 转换器
    - DC-DC 转换器
    - 驱动电机控制器
    使用建议:
    1. 散热设计:由于其高功率密度,需确保良好的散热措施以避免过热失效。
    2. 驱动电路优化:选择合适的栅极电阻值以平衡开关速度与功耗。
    3. 测试验证:按照典型测试电路进行性能评估,确保符合系统需求。

    5. 兼容性和支持


    WFF2N65 采用标准 TO-220 封装,易于集成到现有电路中。制造商提供详尽的技术文档和技术支持,帮助客户快速上手和解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 优化散热设计或降低开关频率 |
    | 栅极电荷过大导致驱动困难 | 选用更低栅极电荷的产品或调整驱动电路 |
    | 反向恢复时间长影响性能 | 使用更高效的反向二极管替代 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    WFF2N65 N-Channel MOSFET 是一款性能卓越的功率半导体器件,凭借其低导通电阻、高可靠性和广泛的适用性,在高效率开关电源和其他电力电子应用中表现出色。对于需要高性能和高效率的场景,强烈推荐使用此产品。
    如果您正在寻找一款能够满足严苛要求的 MOSFET,WFF2N65 是您的理想选择!联系我们的服务热线 400-655-8788 获取更多技术支持和购买信息。
    推荐指数:★★★★★

WFF2N65-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Id-连续漏极电流 2A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFF2N65-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFF2N65-VB数据手册

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WFF2N65-VB封装设计

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10+ ¥ 2.649
30+ ¥ 2.3642
100+ ¥ 1.7715
1000+ ¥ 1.7053
3000+ ¥ 1.6556
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