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UT45N03L-TM3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.92Vth(V) 封装:TO251\n适用于需要中等功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,用于中频率和中功率的电子设备和系统。
供应商型号: UT45N03L-TM3-T-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT45N03L-TM3-T-VB

UT45N03L-TM3-T-VB概述


    产品简介


    产品名称:UT45N03L-TM3-T
    类型:N-Channel 30-V MOSFET
    主要功能:该器件是一款高性能的TrenchFET® Gen III功率MOSFET,广泛应用于DC/DC转换及系统电源管理领域。
    应用领域:开关电源、电池管理系统、电机驱动控制等领域。

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) 30 V |
    | 连续漏极电流(ID) 50 A |
    | 通态漏源电阻(RDS(on)) 7(10V) | 9(4.5V) | mΩ |
    | 输入电容(Ciss) 1700 pF |
    | 输出电容(Coss) 200 pF |
    | 反向传输电容(Crss) 150 pF |
    | 总栅极电荷(Qg) 33(10V) | 18(4.5V) | nC |
    | 工作温度范围 | -55 150 | °C |
    | 最大功耗(PD) 28 W |

    产品特点和优势


    1. 高效率:采用先进的TrenchFET® Gen III技术,具有极低的导通电阻(RDS(on)),有效降低功耗。
    2. 高可靠性:通过100%的Rg测试和UIS测试,确保长时间稳定运行。
    3. 环保设计:符合RoHS标准且无卤素,满足现代电子产品对环保的要求。
    4. 快速响应:开关时间短,适用于高频电路设计。
    5. 高温适应性:能够在-55°C至150°C的极端温度范围内正常工作,适合恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. DC/DC转换器:用于高效稳定的直流电压变换,适用于工业和消费电子设备。
    2. 电池管理系统:在新能源汽车和储能系统中,确保电池的安全充放电。
    3. 电机驱动:为电动工具和工业设备提供高效的能量传输。
    使用建议
    1. 在设计时需注意散热问题,合理选择散热片或优化PCB布局以提升热传导效率。
    2. 确保驱动电路匹配合适的栅极电阻(Rg)以优化开关性能。
    3. 定期检查器件的工作状态,防止因过载导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:可与主流控制器芯片(如STM32系列)无缝对接,广泛应用于多种开发板。
    - 技术支持:提供完整的文档资料及在线客服支持,确保客户快速上手使用。
    - 售后服务:全球范围内的授权经销商网络,提供快速的产品替换和技术指导。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 减少负载或增加外部散热装置 |
    | 驱动信号不稳定 | 检查驱动电路,确保信号质量 |
    | 功率损耗过大 | 调整电路参数,优化负载分配 |

    总结和推荐


    UT45N03L-TM3-T凭借其卓越的技术指标和广泛的应用场景,在工业和消费级电子市场中表现出色。它不仅具备出色的性能表现,还拥有环保设计和全面的支持体系,非常适合需要高效能和可靠性的应用场景。因此,我们强烈推荐此产品作为关键元器件的选择之一。
    推荐指数:★★★★★

UT45N03L-TM3-T-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.92V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,8mΩ@4.5V
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 70A
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT45N03L-TM3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT45N03L-TM3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT45N03L-TM3-T-VB UT45N03L-TM3-T-VB数据手册

UT45N03L-TM3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
库存: 400000
起订量: 20 增量: 4000
交货地:
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型号 价格(含增值税)
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