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UT2804G-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:TO252 由于其中等漏极电流和适中的漏极-源极电阻,可用于设计各种电源模块,如直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)转换器。
供应商型号: UT2804G-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2804G-TN3-R-VB

UT2804G-TN3-R-VB概述

    UT2804G-TN3-R N-Channel 40-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    UT2804G-TN3-R 是一款由 VBsemi 公司生产的 N-Channel 40-V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品主要用于直流电源系统中的 OR-ing 应用,例如服务器和 DC/DC 转换器。其核心优势在于高效的电流控制能力和稳定的电气特性,使其在多种高功率应用中表现出色。

    技术参数


    - 基本参数:
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 40 V
    - 阈值电压 \(V{GS(th)}\): 1.5 ~ 2.5 V
    - 最大栅极漏电 \(I{GSS}\): ±100 nA
    - 零门电压漏电流 \(I{DSS}\): 1 μA (VDS = 40 V, VGS = 0 V)
    - 最大连续漏电流 \(ID\): 90 A (TJ = 175 °C)
    - 电气特性:
    - 漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - 0.013 Ω (VGS = 10 V)
    - 0.01 Ω (VGS = 4.5 V)
    - 逆向传输电容 \(C{rss}\): 570 pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\):
    - 85 ~ 120 nC (VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 38.8 A)
    - 42 ~ 62 nC (VDS = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 28.8 A)
    - 工作环境:
    - 最大功耗 \(PD\): 100 W (TC = 25 °C), 75 W (TC = 70 °C)
    - 最大工作温度范围: -55 °C ~ 175 °C
    - 热阻抗:
    - 最大结至环境热阻 \(R{thJA}\): 32 °C/W (最大)
    - 最大结至外壳稳态热阻 \(R{thJC}\): 0.5 °C/W (最大)

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® Power MOSFET:该技术提高了产品的电流承载能力和降低导通电阻,从而提升了效率。
    2. 100% Rg 和 UIS 测试:确保产品质量可靠,适用于高可靠性应用。
    3. 符合 RoHS 指令:符合环保要求,有助于企业在全球范围内推广产品。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 服务器电源管理系统中的 OR-ing 电路
    - 高效的 DC/DC 转换器
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需要考虑散热措施以避免温度过高导致器件失效。
    - 建议在设计 PCB 布局时尽量减少寄生电感和电容的影响,提高整体系统的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UT2804G-TN3-R 封装为 TO-252,可与其他标准封装的 MOSFET 设备进行互换使用。
    - 支持信息:VBsemi 提供详细的使用指南和技术支持,帮助用户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下工作时,器件过热。
    - 解决方案:增加外部散热片,或者采用水冷方式散热。

    2. 问题:启动和关断时间较长。
    - 解决方案:适当调整门极电阻,优化驱动信号。

    3. 问题:负载电流不稳定。
    - 解决方案:检查负载是否存在问题,或者调整电源输出设置。

    总结和推荐


    UT2804G-TN3-R 是一款性能优异的 N-Channel 40-V MOSFET,具有出色的电流承载能力和低导通电阻。适用于服务器、DC/DC 转换器等多种高功率应用场景。由于其可靠的电气特性和广泛的适用性,强烈推荐在相关项目中使用该产品。

UT2804G-TN3-R-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Id-连续漏极电流 50A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,14mΩ@4.5V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.78V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2804G-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2804G-TN3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT2804G-TN3-R-VB UT2804G-TN3-R-VB数据手册

UT2804G-TN3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
2500+ ¥ 1.4911
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型号 价格(含增值税)
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