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K3992-ZK-E2-AZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: K3992-ZK-E2-AZ-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3992-ZK-E2-AZ-VB

K3992-ZK-E2-AZ-VB概述

    # 产品技术手册:N-Channel 30-V MOSFET

    产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET是一种高效能的电子元器件,主要用于电源管理和控制电路中。该产品采用先进的TrenchFET®技术,具有高效率和低导通电阻的特点,适用于服务器、OR-ing以及其他需要高可靠性电力转换的应用场合。

    技术参数


    绝对最大额定值(TA=25°C,除非另有说明)
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 持续漏电流(TJ=175°C):
    - TC=25°C:100A
    - TC=70°C:80A
    - 脉冲漏电流(IDM):300A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):39A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):94.8mJ
    - 连续源漏二极管电流(IS):
    - TC=25°C:90A
    - 最大功耗(PD):
    - TC=25°C:235W
    - TC=70°C:165W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55至175°C
    热阻率
    - 最大结至环境热阻(RthJA):
    - 最大值:40°C/W
    - 最大结至外壳热阻(RthJC):
    - 最大值:0.6°C/W

    产品特点和优势


    N-Channel 30-V MOSFET采用了先进的TrenchFET®技术,能够在高频率下实现高效能开关操作。其关键优势包括:
    - 高可靠性:100% Rg和UIS测试保证产品的可靠性。
    - 低导通电阻:最小导通电阻仅为0.002Ω(VGS=10V时),可显著降低功耗。
    - 良好的热管理:较低的热阻率使得散热更为高效。
    - 环保认证:符合RoHS Directive 2011/65/EU标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - OR-ing:该产品广泛应用于电源冗余设计中,以确保系统可靠运行。
    - 服务器:在高性能计算和数据中心中,提供稳定可靠的电源管理。
    使用建议
    - 在高电流应用中,应注意散热设计,确保功耗不超过最大额定值。
    - 配合适当的驱动电路使用,可以进一步提高其开关速度和效率。
    - 定期检查和测试电路,确保元器件工作在安全范围内。

    兼容性和支持


    该产品与大多数常见的直流电源和控制系统兼容。制造商提供了详尽的技术支持文档和客户服务,帮助用户解决使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查栅源电压是否达到最低要求;优化散热设计。 |
    | 功耗过高 | 减少负载电流或增加散热措施。 |
    | 开关速度慢 | 优化驱动电路设计;选择合适的驱动电阻。 |

    总结和推荐


    N-Channel 30-V MOSFET凭借其卓越的性能和稳定性,在多种应用场景中表现出色。其低导通电阻、高可靠性以及环保特性使其成为市场上极具竞争力的产品。我们强烈推荐此产品用于需要高效率和高可靠性的电力管理场合。

K3992-ZK-E2-AZ-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 100A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3992-ZK-E2-AZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3992-ZK-E2-AZ-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3992-ZK-E2-AZ-VB K3992-ZK-E2-AZ-VB数据手册

K3992-ZK-E2-AZ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 2500
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型号 价格(含增值税)
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