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K9A60D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K9A60D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K9A60D-VB

K9A60D-VB概述

    N-Channel 650V Power MOSFET (D-S) K9A60D 技术手册

    1. 产品简介


    K9A60D 是一款高性能的 N 沟道 650V 功率 MOSFET,专为高效率电源转换应用设计。它具备低导通电阻(RDS(on))和极低的栅极电荷(Qg),适用于多种应用,包括服务器和电信电源供应、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)以及照明和工业设备等。

    2. 技术参数


    - 电压参数:
    - 最大漏源电压(VDS): 650V
    - 最大栅源电压(VGS): ±30V
    - 最大连续漏电流(TJ = 150°C): 12A(TC = 25°C),9.4A(TC = 100°C)
    - 最大脉冲漏电流:45A
    - 最大功耗:PD /34W
    - 耐热范围:-55°C 至 +150°C
    - 电气特性:
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.5Ω (VGS = 10V, ID = 8A)
    - 输入电容(Ciss): 0pF
    - 输出电容(Coss): -
    - 反向传输电容(Crss): -
    - 总栅极电荷(Qg): 43nC (VGS = 10V, ID = 8A, VDS = 520V)
    - 栅源电荷(Qgs): 5nC
    - 栅极到漏极电荷(Qgd): 22nC
    - 动态特性:
    - 开启延迟时间(td(on)): 13ns
    - 上升时间(tr): 11ns
    - 关断延迟时间(td(off)): 81ns
    - 下降时间(tf): 25ns
    - 其他参数:
    - 绝对最大热阻:RthJA ≤ 60°C/W
    - 峰值焊接温度:300°C(峰值温度,保持10秒)

    3. 产品特点和优势


    - 低损耗: 低 RDS(on) 和低栅极电荷(Qg)相结合,使功率转换过程中显著减少开关损耗和导通损耗。
    - 高可靠性: 能够承受高重复峰值电压和高脉冲电流,保证在恶劣工作环境下仍能稳定运行。
    - 高效率: 优化设计使其适用于各种电源转换场合,特别适合需要高效率的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源供应:K9A60D 在这些应用中表现出色,特别是在高频率开关模式下能够有效减少能量损失。
    - 工业设备:适合于工业环境下的高功率设备,因其出色的耐温性和可靠性而备受青睐。
    - 使用建议:确保正确选择驱动电路以避免过高的栅极电压,合理布局 PCB 以降低寄生电感和噪声影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: K9A60D 与大多数标准驱动电路和控制器兼容,可广泛应用于不同类型的电源系统。
    - 支持: 厂商提供详尽的技术文档和客户服务热线,便于用户获取技术支持和帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中的噪声干扰?
    - 解决方案: 确保 PCB 布局合理,降低寄生电感和噪声的影响。
    - 问题2: 长期使用后温度过高?
    - 解决方案: 使用散热器或其他散热措施,确保良好的散热条件。

    7. 总结和推荐


    K9A60D 功率 MOSFET 以其优异的性能和可靠性,成为现代电源管理系统中不可或缺的组件。其低损耗和高效率的特点使其在多种高要求的应用中表现卓越。强烈推荐在需要高性能和可靠性的电源转换应用中使用 K9A60D。
    如有任何疑问或需求,可通过服务热线 400-655-8788 或访问官方网站 www.VBsemi.com 获取更多信息和支持。

K9A60D-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 12A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K9A60D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K9A60D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K9A60D-VB K9A60D-VB数据手册

K9A60D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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