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IXTU1N80P-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,800V,2A,RDS(ON),2600mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: IXTU1N80P-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTU1N80P-VB

IXTU1N80P-VB概述


    产品简介


    IXTU1N80P是一款由台湾VBsemi Electronics Co., Ltd.生产的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品以其低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg)为特点,特别适用于高效率的应用场景,如服务器和电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)、照明系统以及各种工业应用,例如焊接、感应加热、电机驱动、电池充电器和可再生能源系统等。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 800 V
    - 典型导通电阻 (RDS(on)): 2.38 Ω(在25°C下)
    - 最大总栅极电荷 (Qg): 90 nC
    - 典型输入电容 (Ciss): 315 pF
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 14 mJ
    - 连续漏电流 (ID): 在25°C时为2.8 A,在100°C时为1.8 A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 5 A
    - 最大功耗 (PD): 62.5 W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 封装类型: TO-251
    - 电气特性: 线性降额因子为0.5 W/°C

    产品特点和优势


    1. 低FOM(品质因素):IXTU1N80P拥有低栅极电荷(Qg)和低输入电容(Ciss),使得其开关损耗和传导损耗得以减少。
    2. 超低栅极电荷:该MOSFET具备低至9.8 nC的总栅极电荷,有助于提高整体效率。
    3. 卓越的电气特性:拥有较高的耐压能力和优秀的雪崩能量评级(UIS),使其适用于严苛的工业环境。
    4. 适应多种应用:该产品广泛适用于多种应用,包括服务器和电信电源、SMPS和PFC电源、照明系统和工业驱动装置。

    应用案例和使用建议


    1. 服务器和电信电源:在这些高可靠性需求的应用中,IXTU1N80P能够确保高效稳定的电力转换,减少因电源不稳定性带来的问题。
    2. 工业应用:在焊接和感应加热等需要大功率的应用场合中,IXTU1N80P能提供快速可靠的切换性能。
    3. 照明系统:在高功率放电灯(HID)和荧光灯球泡照明中,IXTU1N80P能够提升整体效率并延长灯具寿命。
    使用建议:
    - 在使用过程中,建议严格遵守焊接温度和时间限制,避免过高的温度对产品造成损害。
    - 对于可能产生的EMI问题,可以在设计电路时考虑加入适当的滤波措施。

    兼容性和支持


    IXTU1N80P与大多数标准的PCB设计兼容,可通过多种封装方式安装,方便灵活选择。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题:确保散热良好,避免长时间在高温环境下运行。
    2. 噪音问题:检查电路设计,确认接地情况良好,并适当增加滤波电容以减少噪声。
    3. 开关频率不稳定:确保正确的驱动电压和电阻设置,保持稳定的工作条件。

    总结和推荐


    IXTU1N80P以其出色的性能、广泛的适用性和高可靠性成为一款极具竞争力的产品。它不仅能够满足现代电力转换系统的高性能需求,还提供了多样化的应用可能性。对于追求高效能、可靠性和多功能性的工程师来说,这款产品是理想的选择。我们强烈推荐该产品在各类工业应用和电力系统中使用。

IXTU1N80P-VB参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.6Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 2A
Vds-漏源极击穿电压 800V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTU1N80P-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTU1N80P-VB数据手册

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IXTU1N80P-VB封装设计

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