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IRFS59N10DTRRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,70A,RDS(ON),18mΩ@10V,22mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IRFS59N10DTRRPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFS59N10DTRRPBF-VB

IRFS59N10DTRRPBF-VB概述

    Power MOSFET 产品概述

    产品简介


    本产品是一款高效能的N沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET),型号为IRFS59N10DTRRPBF。它广泛应用于工业自动化控制、电源管理、逆变器系统、电机驱动等领域。该产品具有低导通电阻(RDS(on))、高开关速度以及动态dV/dt特性,适合在高频开关应用中表现优异。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS): 100V
    - 门源阈值电压 (VGS(th)): 2.0V 至 4.0V
    - 连续漏极电流 (ID): TC = 25 °C时为70A;TC = 100 °C时为56A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 250A
    - 最大耗散功率 (PD): TC = 25 °C时为3.1W;TA = 25 °C时为130W
    - 导通电阻 (RDS(on)): VGS = 10 V时为0.020Ω
    - 总栅极电荷 (Qg): 最大值为70nC
    - 开关时间 (td(on)): 14ns
    - 反向恢复时间 (trr): TJ = 25 °C时为300ns
    - 最大工作温度 (TJ): -55°C至+150°C

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻: 极低的导通电阻确保了高效的能量转换效率。
    2. 高可靠性: 经过严格的测试和认证,保证了长期稳定的工作性能。
    3. 快速开关: 出色的开关特性使其适用于高频开关应用。
    4. 完全雪崩耐受: 雪崩耐受能力提升了其在极端条件下的耐用性。
    5. 环保材料: 符合RoHS标准且无卤素设计,符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    - 工业自动化: 在需要高频开关的应用中,如变频器、伺服电机控制系统等。
    - 电源管理系统: 用于高效能的DC-DC转换器或开关电源。
    - 逆变器系统: 作为主控MOSFET,提升整体系统的可靠性和效率。

    使用建议:在实际应用中,应注意确保散热良好以避免因过热导致的性能下降。适当降低栅极驱动电阻(Rg)可以进一步提高开关速度,但需谨慎调整以免引发其他问题。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与市面上主流的电路板设计高度兼容,可直接焊接安装。
    - 技术支持: 厂商提供详细的技术文档和在线技术支持,帮助客户快速解决应用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - Q: 设备过热怎么办?
    - A: 确保散热片和散热器的设计合理,减少内部温升,必要时采用外部风扇辅助散热。
    - Q: 开关损耗过大怎么办?
    - A: 调整栅极驱动电阻(Rg),适当减小以加速开关过程,但需注意避免开关噪声增加。
    - Q: 性能不稳定怎么办?
    - A: 检查输入电源和信号线的稳定性,确认所有连接无误后,可尝试更换更高品质的驱动器。

    总结和推荐


    IRFS59N10DTRRPBF 是一款在高频应用中表现出色的N沟道MOSFET。其显著的低导通电阻、出色的开关速度及高可靠性使得它在各种工业应用中备受青睐。对于需要高效能和高可靠性的电源管理和控制应用来说,这款产品是一个极佳的选择。因此,我们强烈推荐使用此产品,尤其是对于那些对性能和可靠性有较高要求的应用场景。

IRFS59N10DTRRPBF-VB参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 70A
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@10V,22mΩ@4.5V
通道数量 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFS59N10DTRRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFS59N10DTRRPBF-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFS59N10DTRRPBF-VB IRFS59N10DTRRPBF-VB数据手册

IRFS59N10DTRRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
800+ ¥ 3.6425
库存: 400000
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交货地:
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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