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QM01N65U-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: QM01N65U-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) QM01N65U-VB

QM01N65U-VB概述


    产品简介


    QM01N65U是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机驱动、照明系统和可再生能源设备等领域。它以其卓越的性能和可靠性在电力电子领域占据了一席之地。该器件符合RoHS指令要求,为环保型产品,适用于对环保标准有严格要求的应用场合。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 VDS | 650 | V |
    | 门限电压 VGS(th) | 2.0 - 4.0 | V |
    | 最大持续漏电流 ID | 1.28 | A |
    | 最大脉冲漏电流 IDM | 8 | A |
    | 最大雪崩能量 EAS | 165 | mJ |
    | 最大峰值恢复电压 dV/dt | 2.8 | V/ns |
    | 静态漏源导通电阻 RDS(on) (VGS=10V) | 5 | Ω |
    | 输入电容 Ciss | 417 | pF |
    | 输出电容 Coss | 45 | pF |
    | 反向传输电容 Crss | 5 | pF |

    产品特点和优势


    QM01N65U具有低栅极电荷 Qg,使得驱动要求简单,这有助于降低整体系统的能耗。此外,它还具有增强的门限、雪崩和动态 dv/dt 耐受性,确保了更高的可靠性和稳定性。它还具备完全表征的电容和雪崩电压电流,提高了设计的可预测性。这些特点使其成为高可靠性应用的理想选择,如开关电源、电机控制和其他工业控制应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    QM01N65U在许多高功率密度的开关电源设计中得到了广泛应用。例如,在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中,它可以有效地管理高功率输出,同时保持高效和稳定的性能。
    使用建议
    1. 散热管理:由于其较高的功率损耗(PD = 45W),建议使用良好的散热片或散热器来确保其正常运行。
    2. 驱动电路设计:为了充分利用其低栅极电荷的优势,驱动电路的设计应该尽量简化,减少外部组件的数量。
    3. 保护措施:在高压和高电流环境中使用时,建议增加必要的过压保护和过流保护措施。

    兼容性和支持


    QM01N65U设计兼容标准IPAK封装(TO-251),与市场上大多数现有的电路板设计兼容。制造商提供了详尽的技术文档和支持,包括详细的安装指南和维护说明,以帮助用户顺利集成和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 散热不良导致过热 | 确保使用足够的散热措施,如散热片或散热器。 |
    | 无法实现预期的电流输出 | 检查驱动电路的设计,确保符合器件的驱动要求。 |
    | 设备在高温环境下性能下降 | 在设计时考虑良好的热管理策略,确保温度不超过最大额定值。 |
    | 开关速度较慢 | 优化驱动电路,确保快速和有效的开关操作。 |

    总结和推荐


    QM01N65U以其卓越的性能、紧凑的设计和环保特性,在电力电子应用中表现出色。其优秀的耐热性和可靠性使它非常适合高功率密度的应用场合。如果你正在寻找一款可靠的高性能MOSFET,QM01N65U是一个值得推荐的选择。通过仔细遵循推荐的安装和使用方法,你可以确保获得最佳的性能和可靠性。

QM01N65U-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 2A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

QM01N65U-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

QM01N65U-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 QM01N65U-VB QM01N65U-VB数据手册

QM01N65U-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
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