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IRFZ44SPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,40A,RDS(ON),23mΩ@10V,27mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO263一款高性能的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用。具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用场景的需求。
供应商型号: IRFZ44SPBF-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFZ44SPBF-VB

IRFZ44SPBF-VB概述


    产品简介


    IRFZ44SPBF-VB 是一款 N-沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其漏极-源极电压额定值为 60V。该产品主要用于表面贴装技术(Surface Mount Technology, SMT),且支持卷带包装(Tape and Reel)。由于其低阈值电压和快速开关能力,IRFZ44SPBF-VB 广泛应用于电源转换、电机控制和通信设备等领域。

    技术参数


    - 漏极-源极电压(VDS):60 V
    - 栅极-源极电压(VGS):± 10 V
    - 连续漏极电流(TC = 25°C):50 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):200 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):400 mJ
    - 最大功率耗散(TC = 25°C):150 W
    - 热阻(RthJA):62 °C/W
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):≤ 25 μA(VDS = 60 V)
    - 导通电阻(RDS(on)):0.032 Ω(VGS = 10 V)
    - 输入电容(Ciss):≤ 3000 pF
    - 输出电容(Coss):待测
    - 反向转移电容(Crss):待测
    - 总栅极电荷(Qg):66 nC(ID = 51 A, VGS = 5.0 V)

    产品特点和优势


    - 无卤素设计:符合 IEC 61249-2-21 标准。
    - 逻辑级门驱动:适合多种控制器接口。
    - 快速开关:减少电路中的损耗。
    - 高可靠性:满足 RoHS 标准。
    - 高雪崩耐受能力:可在高瞬态条件下可靠运行。
    - 封装优势:D2PAK(TO-263)封装,便于焊接和安装。

    应用案例和使用建议


    应用案例:IRFZ44SPBF-VB 适用于需要高频率开关和高可靠性电源管理的应用场景。例如,在电动汽车充电器中作为关键电源转换组件。
    使用建议:
    - 热管理:确保良好的散热条件,避免因过热而导致失效。
    - 布局设计:考虑到较低的寄生电感,应在 PCB 设计中采用较短的走线和较大的接地平面。
    - 动态参数监控:定期检测 dV/dt 等动态参数,以确保设备处于良好状态。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于大多数标准 SMT 生产线和机器。
    - 支持和服务:提供详尽的技术文档和应用指南,以帮助客户优化产品使用体验。公司还提供快速响应的客户服务和支持,确保客户问题能够及时得到解决。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏电流过高 | 检查 VGS 和 VDS 参数是否正确设定;更换损坏的部件。 |
    | 开关延迟时间过长 | 调整 Rg 值;优化电路布局减少寄生电感。 |
    | 过热保护触发 | 改善散热措施,如增加散热片或风扇。 |

    总结和推荐


    IRFZ44SPBF-VB 的主要优点包括其快速开关能力、高可靠性及易于实现的表面贴装技术。该产品非常适合用于高要求的电源转换和电机控制应用。总体而言,它是一个值得推荐的选择,特别是对于需要高性能和高可靠性的项目。然而,在选择该产品时,建议根据具体应用场景进行详细评估,以确保最佳效果。

IRFZ44SPBF-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@10V,27mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Id-连续漏极电流 40A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFZ44SPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFZ44SPBF-VB数据手册

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IRFZ44SPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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