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VS3400BC-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用SOT23-3封装,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。
供应商型号: VS3400BC-VB SOT23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VS3400BC-VB

VS3400BC-VB概述

    VS3400BC N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    VS3400BC 是一款N沟道30V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款器件采用先进的TrenchFET®技术制造,广泛应用于DC/DC转换器等领域。它具有低导通电阻和高效能,适用于需要高可靠性和高性能的场合。

    技术参数


    - 主要规格:
    - 漏源电压 (VDS):30 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150 °C):5.0 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):25 A
    - 最大功率耗散 (TC = 25 °C):1.7 W
    - 最高工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 电气特性:
    - 导通状态漏源电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V,ID = 3.2 A:0.030 Ω
    - VGS = 4.5 V,ID = 2.8 A:0.033 Ω
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):1 µA
    - 输入电容 (Ciss):335 pF
    - 输出电容 (Coss):45 pF
    - 反向转移电容 (Crss):17 pF
    - 总栅电荷 (Qg):
    - VDS = 15 V,VGS = 10 V,ID = 3.4 A:4.5 nC
    - VDS = 15 V,VGS = 4.5 V,ID = 3.4 A:2.1 nC
    - 工作环境:
    - 最大结温:150 °C
    - 热阻 (RthJA):90 °C/W

    产品特点和优势


    - Halogen-free & RoHS compliant:VS3400BC 符合IEC 61249-2-21定义的无卤标准,符合RoHS 2002/95/EC指令,确保环保和安全。
    - 高效能:导通电阻低,最大仅为0.030 Ω(在VGS = 10 V条件下),确保在高电流情况下仍能保持低损耗。
    - 高速度:开关速度较快,适合高频应用。
    - 高可靠性:100% Rg测试保证了产品的高可靠性。

    应用案例和使用建议


    VS3400BC 在DC/DC转换器中有广泛应用,如电源适配器、通信设备和消费电子产品。对于这些应用,建议在电路设计时考虑散热问题,以确保器件在高电流下的稳定运行。此外,考虑到高频率开关的应用场景,建议合理选择驱动电路和布局,以提高整体效率。

    兼容性和支持


    VS3400BC 与其他标准SOT-23封装的元件兼容,可直接替换。VBsemi提供全面的技术支持,包括产品规格书和技术咨询。如有任何疑问或技术支持需求,可联系服务热线400-655-8788获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:产品能否在高温环境下长期工作?
    - 解答:可以,最高工作结温为150°C,确保在高温环境下也能正常工作。但建议在设计时进行散热处理,以延长使用寿命。
    - 问题2:产品的导通电阻是否会随温度变化而变化?
    - 解答:是的,导通电阻随温度升高略有增加。具体关系可以在典型特性曲线图中查看,根据应用需求进行合理的温度补偿。

    总结和推荐


    VS3400BC N-Channel 30-V MOSFET凭借其高可靠性、低导通电阻和高效率的特点,在DC/DC转换器和其他高频应用中表现出色。无论是从技术参数还是应用案例来看,VS3400BC 都是一款值得推荐的产品。如果您正在寻找一款高效能且可靠的MOSFET,VS3400BC 是一个理想的选择。

VS3400BC-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@10V,33mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 6.5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

VS3400BC-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

VS3400BC-VB数据手册

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VS3400BC-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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