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K4197-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K4197-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K4197-VB

K4197-VB概述

    # K4197-VB N-Channel 650V MOSFET 技术手册解读

    产品简介


    K4197-VB 是一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET,专为高电压和大电流应用设计。它具备低导通电阻(RDS(on))和优化的开关性能,适用于多种电源管理及功率转换应用,例如开关电源、电机驱动、光伏逆变器和通信电源等。

    技术参数


    以下是该产品的主要技术规格:
    - 额定电压 (VDS):650 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):2.5 Ω(在 VGS=10 V 下)
    - 总栅极电荷 (Qg):48 nC(最大值)
    - 输入电容 (Ciss):80 pF(典型值)
    - 输出电容 (Coss):1912 pF(在 VDS=1.0 V 下)
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):12 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):19 nC
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 热阻抗:最高结到环境为 65°C/W(RthJA)
    特殊特性
    - 低门极电荷 (Qg):简化驱动电路的设计。
    - 增强型门极、雪崩和动态 dv/dt 耐久性。
    - 完全标定的电容和雪崩电压/电流特性。
    - 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。

    产品特点和优势


    K4197-VB 的关键特点使其在市场上脱颖而出:
    - 高效能:低 RDS(on) 和高耐压能力使其在高压应用中表现出色。
    - 优化的开关性能:快速的开关时间和较低的功耗,适合高频应用。
    - 可靠性强:增强型雪崩能力和耐用性确保长时间稳定运行。
    - 环保设计:完全符合 RoHS 标准,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    K4197-VB 广泛应用于各类电源系统和功率控制模块中,如:
    - 开关电源中的同步整流。
    - 高频逆变器中的主控开关管。
    - 电机驱动器中的换向开关。
    使用建议
    1. 在高温环境下使用时需注意散热措施,以防止过热损坏。
    2. 驱动电路应选用低噪声设计,避免干扰其他电子组件。
    3. 在高功率应用中建议并联多个器件分担负载电流,以提高系统稳定性。

    兼容性和支持


    K4197-VB 可与大多数主流电路板兼容,并提供全面的技术支持服务。制造商提供了详尽的文档资源和技术支持,确保客户能够快速上手并解决问题。

    常见问题与解决方案


    问题 1:器件发热严重
    解决方案:增加散热片面积或采用强制风冷措施。
    问题 2:开关波形失真
    解决方案:检查驱动电路设计是否合理,必要时调整驱动电阻值。
    问题 3:雪崩失效
    解决方案:减少系统内的瞬态冲击电压,必要时加装缓冲电路。

    总结和推荐


    K4197-VB 是一款具有高性价比且性能卓越的 N 沟道 MOSFET,特别适合需要高电压、大电流以及高效率的应用场合。其出色的开关特性和坚固的结构使其成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。强烈推荐给对性能要求较高的用户群体。如果您正在寻找一款既能满足苛刻条件又能保证长期可靠性的 MOSFET,那么 K4197-VB 将是一个明智的选择。

K4197-VB参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 4A
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K4197-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K4197-VB数据手册

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K4197-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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