处理中...

首页  >  产品百科  >  UT4812G-S08-R-VB

UT4812G-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,6.8/6.0A,RDS(ON),22mΩ@10V,26mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.73Vth(V) 封装:SOP8\n在LED照明系统中,可用于设计中功率的LED驱动模块,实现LED灯具的亮度调节和颜色控制。其中等漏极电阻和稳定的特性使其成为LED照明系统中的理想选择,提高LED灯具的性能和寿命。
供应商型号: UT4812G-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT4812G-S08-R-VB

UT4812G-S08-R-VB概述

    UT4812G-S08-R Dual N-Channel 30-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    UT4812G-S08-R是一款双沟道N-MOSFET,专为多种电源转换和控制应用设计。其采用先进的TrenchFET技术,提供了出色的性能和可靠性。这款MOSFET广泛应用于机顶盒(Set Top Box)、低电流直流/直流转换器(Low Current DC/DC)等领域。

    2. 技术参数


    - 最大耐压 (VDS): 30V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC = 25°C时:6.2A
    - TC = 70°C时:5.6A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 30A
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 5A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 1.25mJ
    - 最大功率耗散 (PD):
    - TC = 25°C时:2.7W
    - TC = 70°C时:1.77W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 热阻 (RthJA):
    - 最大值:70°C/W
    - 最典型值:58°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 环保材料: 符合IEC 61249-2-21定义的无卤素标准。
    - 高可靠性: 100%经过UIS测试和Rg测试。
    - RoHS合规: 符合RoHS指令2002/95/EC要求。
    - 低导通电阻 (RDS(on)): 在VGS = 10V时为0.02Ω,在VGS = 4.5V时为0.026Ω。
    - 低总栅电荷 (Qg): 在VGS = 10V时为5.6nC,在VGS = 4.5V时为3.7nC。
    这些特性使得该MOSFET在高效能和低损耗方面表现出色,非常适合在紧凑型和高温环境下工作。

    4. 应用案例和使用建议


    UT4812G-S08-R MOSFET广泛用于低电流直流/直流转换器(Low Current DC/DC)和机顶盒(Set Top Box)。例如,在低电流直流/直流转换器中,可以将其用于电池充电器或电源适配器,以提高效率和减少发热。
    使用建议:
    - 散热管理: 由于其高功率耗散能力,需要良好的散热设计以保证长期稳定运行。
    - 栅极驱动: 使用适当的栅极电阻(Rg)来确保快速开关时间和低开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    UT4812G-S08-R MOSFET与各种标准SO-8封装的设备兼容,适用于大多数现成的设计。制造商VBsemi提供了详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够轻松集成并优化其性能。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热问题 | 确保有效的散热设计,如使用散热片或风扇。 |
    | 开关频率不稳定 | 调整栅极电阻(Rg)至合适的值以优化开关性能。 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,UT4812G-S08-R是一款性能卓越且功能全面的N-MOSFET,尤其适合低电流直流/直流转换器和机顶盒应用。其优异的性能、可靠性以及符合环保标准的特点使其在市场上具备较强的竞争力。因此,强烈推荐使用此款MOSFET以满足高效能需求。

UT4812G-S08-R-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 6.8A,6A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.73V
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@10V,26mΩ@4.5V
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT4812G-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT4812G-S08-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT4812G-S08-R-VB UT4812G-S08-R-VB数据手册

UT4812G-S08-R-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
库存: 400000
起订量: 25 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:25
合计: ¥ 29.14
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504