处理中...

首页  >  产品百科  >  K40E10N1-VB

K40E10N1-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,19mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: K40E10N1-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K40E10N1-VB

K40E10N1-VB概述

    K40E10N1-VB MOSFET 技术手册深度解读

    产品简介


    K40E10N1-VB 是一款由 VBsemi 推出的 N 沟道增强型 100V(D-S)功率 MOSFET,专为高效率开关电源设计。作为 ThunderFET® 系列的一部分,它结合了高可靠性、低导通电阻和优异的热管理能力,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子及通信等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极击穿电压 | VDS | 100 V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | 2.5 | 3.75 | 4 | V |
    | 栅极漏电流 | IGSS ±250 | nA |
    | 漏极-源极导通电阻(典型值) | RDS(on) 0.005 Ω |
    | 最大连续漏极电流(TC=25°C) | ID 120 A |
    | 最大脉冲漏极电流(t=100μs) | IDM | 480 A |
    | 最大结温 | TJ 175 °C |
    工作条件:
    - 工作温度范围:-55 至 +175°C
    - 绝对最大功耗(TC=25°C):370W

    产品特点和优势


    1. ThunderFET® 技术:采用先进的半导体工艺,具有超低导通电阻,显著降低功耗。
    2. 高温耐受性:可承受高达 175°C 的结温,适用于极端工作环境。
    3. 高可靠性测试:通过 100% 阈值电压测试和 UIS(雪崩能量)测试,确保长期稳定性。
    4. 优异的散热性能:Junction-to-Ambient 热阻为 40°C/W,支持高效的散热管理。

    应用案例和使用建议


    K40E10N1-VB 可用于以下场景:
    1. 开关电源:利用其低导通电阻和高耐压特性,提高转换效率。
    2. 电机驱动:适用于需要高电流输出的工业电机控制。
    3. 电池管理:适合电池保护电路,保障系统安全。
    使用建议:
    - 在设计中加入适当的散热措施(如外接散热片),以避免过热损坏。
    - 确保驱动电路的栅极驱动电阻 Rg 设计合理,减少开关损耗。
    - 避免超过绝对最大额定值操作,特别是在高温环境下需降低电流负载。

    兼容性和支持


    K40E10N1-VB 支持标准 TO-220AB 封装,与多种 PCB 布局兼容。VBsemi 提供全面的技术支持,包括详细的选型指南和应用笔记,客户可通过服务热线 400-655-8788 获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 优化栅极驱动电阻值,增加驱动能力。 |
    | 过热导致失效 | 检查散热设计,适当降低工作电流。 |
    | 导通电阻异常偏高 | 确认栅极驱动电压是否达到要求。 |

    总结和推荐


    K40E10N1-VB 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,凭借其低导通电阻、高耐压和卓越的热性能,成为高效开关电源的理想选择。其独特的 ThunderFET® 技术使其在市场上具备很强的竞争力。对于需要高可靠性的工业和消费类电子产品,我们强烈推荐选用这款产品。
    联系 VBsemi 客服了解更多详细信息和应用支持!

K40E10N1-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,19mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Id-连续漏极电流 120A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K40E10N1-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K40E10N1-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K40E10N1-VB K40E10N1-VB数据手册

K40E10N1-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 68.02
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831