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HFS6N60U-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: HFS6N60U-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HFS6N60U-VB

HFS6N60U-VB概述

    # HFS6N60U N-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    HFS6N60U 是一款高性能的 N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于多种电力转换和控制场合。其主要特点包括低导通电阻、低栅极电荷和高可靠性,使得它非常适合用于服务器和电信电源系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及照明(如高强度放电灯和荧光灯)。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS):650V
    - 栅源电压 (VGS):±30V
    - 连续漏电流 (ID):35A (TC = 25°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM):有限制,由最高结温限制
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):97mJ
    - 最大功耗 (PD):10W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 栅极输入电阻 (Rg):3.5Ω (f = 1 MHz, 开漏)
    静态参数
    - 漏源击穿电压 (VDS):650V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.5V 至 5V
    - 栅源漏电流 (IGSS):±100nA (VGS = ±20V),±1μA (VGS = ±30V)
    - 无栅极电压漏电流 (IDSS):1μA (VDS = 650V),10μA (VDS = 520V)
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.2Ω (VGS = 10V, ID = 4A)
    - 输出电容 (Coss):11pF
    动态参数
    - 输入电容 (Ciss):315pF (VGS = 0V, VDS = 100V, f = 1MHz)
    - 有效输出电容 (Co(er)):在 VDS = 0V 到 520V 时变化
    - 总栅极电荷 (Qg):31nC (VGS = 10V, ID = 4A, VDS = 520V)
    - 栅极电荷时间常数 (td(on), tr, td(off), tf):在 VDD = 520V, ID = 4A, VGS = 10V, Rg = 9.1Ω 条件下测量

    产品特点和优势


    HFS6N60U 在多个方面展现了其卓越性能:
    - 低栅极电荷 (Qg) 和 低漏源导通电阻 (RDS(on)):减少了开关和传导损耗。
    - 低输入电容 (Ciss):有利于提高系统的频率响应。
    - 高可靠性:雪崩能量等级 (UIS) 高达 97mJ,适用于恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    HFS6N60U 广泛应用于多种工业和消费电子产品中,例如:
    - 服务器和电信电源:提供高效的电源转换。
    - 照明系统:适用于高强度放电灯和荧光灯系统,以实现更好的调光和效率。
    - 工业应用:适合用于各种工业控制系统中。
    使用建议
    - 在设计电路时,需考虑 RDS(on) 的温升影响。
    - 在高频率应用中,应尽量减少 Qg 和 Ciss 的影响,以避免不必要的延迟和能耗。
    - 确保栅极驱动电路的可靠性,防止过压和欠压损坏。

    兼容性和支持


    HFS6N60U 采用标准 TO-220 FULLPAK 封装,易于安装和焊接。对于任何关于产品兼容性和支持的问题,您可以联系 服务热线:400-655-8788 获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问:HFS6N60U 的栅极电荷时间常数是多少?
    - 答:在 VDD = 520V, ID = 4A, VGS = 10V, Rg = 9.1Ω 条件下,td(on) 和 td(off) 的时间常数分别是 4ns 和 24ns。
    2. 问:如何测试 MOSFET 的雪崩能量?
    - 答:通过反复测量 UIS,确保其在极限条件下表现稳定。建议参考 UNCLAMPED INDUCTIVE WAVEFORMS 图表进行测试。
    3. 问:HFS6N60U 的反向恢复时间和反向恢复电流是多少?
    - 答:在 TJ = 25°C, IF = IS = 4A, dI/dt = 100A/μs, VR = 400V 条件下,反向恢复时间为 190ns,反向恢复电流为 2.3μA。

    总结和推荐


    HFS6N60U 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,适用于多种电力转换和控制场合。其 低栅极电荷 (Qg) 和 低漏源导通电阻 (RDS(on)) 特点显著提高了整体能效。此外,它还具备高可靠性、广泛的适用范围和详尽的技术支持。我们强烈推荐在需要高效电源转换和控制系统的设计中使用此产品。

HFS6N60U-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 7A
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

HFS6N60U-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HFS6N60U-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HFS6N60U-VB HFS6N60U-VB数据手册

HFS6N60U-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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