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K3A60DAA4-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: K3A60DAA4-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3A60DAA4-VB

K3A60DAA4-VB概述

    K3A60DAA4-VB N-Channel 650V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K3A60DAA4-VB 是一款N通道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有高耐压和低导通电阻的特点。这种MOSFET 主要用于开关电源、逆变器和电机驱动等需要高电压和高效能的应用场合。

    2. 技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 漏源电压 \( V{DS} \) | 650 V |
    | 导通电阻 \( R{DS(on)} \) | 2.5 Ω (当 \( V{GS} = 10 \) V时) |
    | 门电荷 \( Qg \) | 48 nC |
    | 门源电荷 \( Q{gs} \) | 12 nC |
    | 门漏电荷 \( Q{gd} \) | 19 nC |
    | 额定温度范围 | -55 至 +150°C |
    | 绝对最大功率耗散 \( PD \) | 30 W |
    | 最大单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \) | 325 mJ |
    | 工作频率 | 可达 1.0 MHz |

    3. 产品特点和优势


    - 低门电荷:低门电荷使得驱动需求简化,降低了电路设计的复杂度。
    - 增强的耐用性:改进的门耐压能力、雪崩耐压能力和动态 \( dV/dt \) 耐压能力使其更加耐用。
    - 全面的参数测试:包括电容、雪崩电压和电流在内的所有参数均经过全面测试。
    - 环保合规:符合RoHS指令,对环境保护友好。

    4. 应用案例和使用建议


    K3A60DAA4-VB 主要应用于高效率的开关电源、电机驱动器、逆变器等领域。例如,在电机驱动器中,它可以显著提高系统的效率和稳定性。
    使用建议:
    - 确保驱动信号在 \( V{GS} = 10 \) V时,可以提供更好的开关性能。
    - 使用低杂散电感的布局设计,以减少开关过程中产生的电压尖峰。

    5. 兼容性和支持


    K3A60DAA4-VB 与多种标准接口兼容,适用于大多数通用控制电路。厂商提供了详尽的技术支持文档和售后服务,确保客户在使用过程中遇到问题能够及时得到解决。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 降低开关频率或增加散热措施 |
    | 雪崩电流过大导致损坏 | 确认工作条件不超过额定值并增加保护措施 |
    | 门极驱动电压不足 | 检查驱动电路确保门极驱动电压符合要求 |

    7. 总结和推荐


    K3A60DAA4-VB 以其高耐压、低导通电阻和全面的测试参数,成为高性能应用的理想选择。其优良的稳定性和环保特性使其在市场上具有很强的竞争优势。我们强烈推荐此款MOSFET 用于需要高效率和高可靠性的应用环境中。

K3A60DAA4-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
配置 -
Id-连续漏极电流 4A
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3A60DAA4-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3A60DAA4-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3A60DAA4-VB K3A60DAA4-VB数据手册

K3A60DAA4-VB封装设计

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100+ ¥ 1.9796
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1000+ ¥ 1.8212
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