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9T18J-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,30V,70A,RDS(ON),6mΩ@10V,8mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.92Vth(V) 封装:TO251 适用于需要中等功率和电流的应用场合,能够在一定程度上平衡功率和性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,用于中频率和中功率的电子设备和系统。
供应商型号: 9T18J-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9T18J-VB

9T18J-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET
    这款N-Channel MOSFET是一款高性能、适用于多种应用场合的功率器件。它采用TrenchFET® Gen III工艺制造,具备出色的电气特性和可靠性。主要功能包括:直流/交流转换、系统电源管理等。由于其优秀的热管理和低导通电阻,该产品广泛应用于各类电源管理、电池充电器及驱动电路等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | 30 | - | V |
    | 源极-漏极导通电流 | ID | - | 14 | 50 | A |
    | 最大连续漏极电流(TJ=150°C) | ID | 10 | 45 | 50 | A |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | 1 | 5 | - | µA |
    | 导通状态下漏极-源极电阻 | RDS(on) | - | 7 | 9 | mΩ |
    | 栅极电荷 | Qg | - | 18 | 33 | nC |
    | 额定功率损耗(TC=25°C) | PD | - | 28 | - | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    该N-Channel MOSFET具备多项独特的功能和优势:
    - 高可靠性:百分之百经过测试,确保所有关键指标均符合设计标准。
    - 高效能:通过TrenchFET® Gen III技术,实现了低导通电阻和高电流处理能力。
    - 环境友好:符合RoHS和无卤素要求,有助于环保。
    - 卓越的热管理:具有良好的散热性能,能够在高温环境下稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    这款N-Channel MOSFET在多种电子设备中均有应用,特别是用于电源管理系统、LED驱动器和电池充电器等领域。例如,在DC/DC转换器中,它可以作为高效的开关元件,提高系统的整体效率。
    使用建议
    为了确保最佳性能,建议在使用时注意以下几点:
    - 选择合适的散热措施,特别是在高温环境中使用。
    - 确保所有连接稳固,避免因接触不良导致的过热。
    - 根据具体应用场景调整电路参数,以获得最优性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET可以与大多数主流的电子元件和电路板设计兼容,适用于广泛的电子系统。
    - 技术支持:厂商提供全面的技术支持,包括产品咨询、故障诊断和售后服务。如需更多帮助,可联系服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 检查散热措施是否足够,并确保电路设计合理。 |
    | 开关速度慢 | 调整栅极电阻Rg,确保其在合适的范围内。 |
    | 性能不稳定 | 确认所有连接点牢固可靠,避免接触不良引起的问题。 |

    总结和推荐


    这款N-Channel MOSFET凭借其高性能、高可靠性以及广泛的适用性,在多个应用领域表现出色。尤其适合用于需要高效、稳定的电源管理系统中。强烈推荐给需要高性能电子元件的设计者和制造商。

9T18J-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,8mΩ@4.5V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 70A
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.92V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

9T18J-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

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9T18J-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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