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K2914-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,12A,RDS(ON),190mΩ@10V,228mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.1Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: K2914-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2914-VB

K2914-VB概述

    K2914-VB MOSFET 技术手册

    产品简介


    K2914-VB 是一款高性能的 N-Channel Power MOSFET(功率场效应晶体管),专为高电流和高频应用设计。它适用于多种电子设备,包括电源转换、电机驱动、照明系统、工业自动化等领域。这款 MOSFET 具有出色的动态和静态特性,可以有效提高系统的效率和可靠性。

    技术参数


    以下是 K2914-VB 的关键技术参数:
    - 额定电压 (VDS):250 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10 V 下为 0.19 Ω
    - 最大持续漏极电流 (ID):25 A (TC = 25 °C),8.5 A (TC = 100 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):56 A
    - 最大功率耗散 (PD):125 W (TC = 25 °C)
    - 输入电容 (Ciss):1300 pF
    - 输出电容 (Coss):330 pF
    - 反向传输电容 (Crss):85 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):68 nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):11 nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):35 nC
    - 开关时间
    - 开启延迟时间 (td(on)):1 ns
    - 上升时间 (tr):24 ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):53 ns
    - 下降时间 (tf):49 ns

    产品特点和优势


    K2914-VB 的主要特点和优势包括:
    - 动态 dV/dt 额定值:能够承受较高的瞬态电压变化。
    - 重复雪崩额定值:能够在雪崩模式下安全工作,提供更高的可靠性和稳定性。
    - 快速开关能力:低开关损耗,提高整体系统效率。
    - 并联容易:便于多个 MOSFET 并联使用,以增加电流处理能力。
    - 简单的驱动要求:降低了驱动电路的复杂度和成本。
    这些特性使得 K2914-VB 在高频率和高电流的应用场景中表现出色,适合用于工业控制、通信设备和其他需要高性能电力电子器件的应用。

    应用案例和使用建议


    根据技术手册中的信息,K2914-VB 可以广泛应用于多种场景。例如,在电源转换模块中,它可以帮助提高电源的转换效率和稳定性;在电机驱动系统中,它能够提升电机的响应速度和控制精度。为了优化使用效果,建议如下:
    - 选择合适的驱动电路:确保驱动电路能够提供足够的栅极电压和电流来满足 MOSFET 的驱动需求。
    - 注意散热设计:由于高功率工作时会产生大量热量,建议使用高效的散热器和热管理措施,以避免过热导致的损坏。
    - 合理布局:在 PCB 布局中尽量减少寄生电感和杂散电感,以提高系统的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    K2914-VB 与大多数标准驱动电路兼容,可以直接应用于现有系统中。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用这款 MOSFET。如需进一步技术支持,可以联系服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    根据技术手册中的常见问题和解决方案,以下是一些常见的使用问题及其解决方法:
    - 问题:开启延迟时间过长
    - 解决方法:检查驱动电路的配置,确保足够的栅极电压和电流。

    - 问题:温度过高
    - 解决方法:检查散热设计是否合理,必要时增加散热器或改善通风条件。
    - 问题:系统稳定性不佳
    - 解决方法:检查 PCB 布局,减少寄生电感和杂散电感的影响。

    总结和推荐


    总体而言,K2914-VB 是一款性能优越的 N-Channel Power MOSFET,具备出色的动态和静态特性,适合于高电流和高频应用。其易于驱动、可靠性高、散热性能好等特点使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐用户在设计电力电子系统时考虑选用这款产品,特别是在需要高效率和高可靠性的情况下。

K2914-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 12A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
Vds-漏源极击穿电压 250V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@10V,228mΩ@4.5V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2914-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2914-VB数据手册

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K2914-VB封装设计

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