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K7A65D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: K7A65D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K7A65D-VB

K7A65D-VB概述

    K7A65D Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K7A65D 是一款 N-Channel MOSFET(场效应晶体管),适用于多种高功率应用。它采用 TO-220 FULLPAK 封装,具有低导通电阻、低栅极电荷和低输入电容等显著特点。主要应用领域包括服务器和电信电源系统、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)、照明系统(如高强度放电灯和荧光灯)以及工业设备。

    2. 技术参数


    - 电压范围: 最大耐压为 650V,在最高结温条件下。
    - 最大电流: 在 TJ = 150°C 时,连续漏极电流为 4A。
    - 导通电阻: 25°C 时的最大导通电阻(RDS(on))为 0.65Ω @ VGS = 10V。
    - 栅极电荷: 在 VGS = 10V、ID = 4A 和 VDS = 520V 条件下的总栅极电荷 (Qg) 为 10nC。
    - 绝对最大额定值: 栅源电压 (VGS) 可达 ±30V;脉冲漏极电流 (IDM) 高达 4A;单次脉冲雪崩能量 (EAS) 为 97mJ。
    - 热阻: 最大结到环境热阻 (RthJA) 为 63°C/W;最大结到外壳热阻 (RthJC) 为 0.6°C/W。

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷和导通电阻: 有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 低输入电容: 减少开关过程中的动态损耗。
    - 雪崩耐受能力: 具备重复雪崩耐受能力,能够在极端条件下稳定工作。
    - 高速开关特性: 短的开关延迟时间和上升时间,适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    K7A65D 主要用于高性能电源转换应用。例如,在电信电源系统中,由于其高耐压能力和低导通电阻,可以有效减少发热,延长设备寿命。在工业设备中,由于其快速开关特性,可确保系统的稳定性。使用时应注意保持散热良好,以避免过热风险。
    使用建议:
    - 确保 PCB 布局中避免寄生电感。
    - 使用大面积接地平面以降低接地阻抗。
    - 定期检查并监控温度,避免长期过载运行。

    5. 兼容性和支持


    K7A65D 可与其他常见的 N-Channel MOSFET 产品互换使用,以满足不同的设计需求。VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,确保用户能够充分利用产品的性能优势。如有任何技术问题或需要定制解决方案,用户可通过服务热线 400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com 获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 检查并优化散热设计,使用更大的散热片或增加风扇。 |
    | 开启电压过高 | 调整外部驱动电路,确保 VGS 在合适范围内。 |
    | 漏电流过大 | 检查封装和焊接质量,确保没有短路。 |

    7. 总结和推荐


    K7A65D 是一款高性价比、高性能的 N-Channel MOSFET,尤其适合需要高效、低损耗的电源转换应用。它的低导通电阻、低栅极电荷和快速开关特性使其成为电信、服务器电源及工业设备的理想选择。总体来看,K7A65D 非常推荐使用,并且通过良好的散热设计和合理的应用方法,能最大化发挥其性能优势。

K7A65D-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 10A
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K7A65D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K7A65D-VB数据手册

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K7A65D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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