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HFP840-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: HFP840-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HFP840-VB

HFP840-VB概述

    HFP840-VB Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    HFP840-VB 是一款高性能的N沟道增强型功率金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET)。它适用于多种电力电子应用,如电机驱动、电源转换、LED照明、工业控制等领域。由于其低导通电阻和高击穿电压的特点,该产品特别适合在高压大电流环境下使用。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):500 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 VGS = 10 V 时,RDS(on) 为 0.660 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值 81 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):20 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):36 nC
    - 连续漏极电流 (ID):在 VGS = 10 V 时,TC = 25 °C 下为 13 A,在 TC = 100 °C 下为 8.1 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):50 A
    - 雪崩能量 (EAS):560 mJ
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55 °C 至 +150 °C
    - 最大热阻 (RthJA):62 °C/W
    - 封装类型:TO-220AB

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷 (Qg):这使得驱动要求更简单。
    2. 坚固耐用:提高了栅极、雪崩和动态 dV/dt 的鲁棒性。
    3. 完全特性化:电容和雪崩电压均经过全面特性化。
    4. 符合RoHS标准:符合欧盟2002/95/EC指令。
    5. 低漏电流:在 VGS = ± 20V 时,栅源漏电流小于 25 μA。
    6. 高输出电流能力:在 VDS = 500 V 时,零栅极电压下的漏极电流可达 25 μA。

    应用案例和使用建议


    HFP840-VB MOSFET 可广泛应用于各种电力转换和电机控制场景。例如,在一个峰值电流不超过 14 A 的直流电机控制系统中,此款 MOSFET 可以有效降低功耗并提高效率。使用建议包括:
    - 确保驱动电路设计合理:低栅极电荷使得驱动要求更简单,但需要确保驱动电路的稳定性和可靠性。
    - 注意散热设计:考虑到其较高的工作电流,良好的散热设计是必要的。建议使用具有良好热传导性的散热片。
    - 遵循焊接规范:峰值焊接温度不得超过 300°C,持续时间不超过 10 秒。

    兼容性和支持


    HFP840-VB 与市场上常见的 TO-220AB 封装的散热片和其他配件具有良好的兼容性。制造商提供详尽的技术文档和支持,包括电路设计指导、焊接和安装指南等,以帮助客户更好地理解和使用这款产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 高温环境下性能下降怎么办?
    - A: 确保使用合适的散热设计和材料,选择散热片和热接口材料以确保良好的热传导性。
    2. Q: 如何确保栅极驱动信号稳定?
    - A: 使用低阻抗驱动器,并确保驱动电路与被驱动设备之间的连接尽可能短,以减少寄生电感的影响。
    3. Q: 如何避免漏电流过大?
    - A: 确保 VGS 在 0 V 时,栅源漏电流不超过 25 μA。建议使用高质量的绝缘材料和屏蔽措施。

    总结和推荐


    HFP840-VB MOSFET 在其额定电压和电流范围内表现出色,具有较低的导通电阻和高鲁棒性,非常适合于高压大电流应用。凭借其优良的特性及供应商提供的技术支持,我们推荐使用此款产品在电力转换和电机控制领域。然而,强烈建议客户在具体应用中仔细验证产品规格,以确保最佳性能。

HFP840-VB参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 13A
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

HFP840-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HFP840-VB数据手册

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HFP840-VB封装设计

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