处理中...

首页  >  产品百科  >  WFF7N60-VB

WFF7N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: WFF7N60-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFF7N60-VB

WFF7N60-VB概述

    # VBsemi WFF7N60 N-Channel Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    VBsemi WFF7N60 是一款高性能的 N-Channel 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效率和高可靠性应用设计。该器件广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源供应系统(PFC)、照明及工业领域。
    主要功能
    - 低阈值电压,适合逻辑电平驱动
    - 高性能开关能力,降低损耗
    - 优化的输入电容,降低栅极驱动需求

    技术参数


    静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS):最大值 650V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2V 至 4V
    - 零栅压漏极电流 (IDSS):最大值 10μA
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):最大值 Ω @ 10V,ID = 4A
    动态特性
    - 输入电容 (Ciss):最大值 pF
    - 输出电容 (Coss):最大值 pF
    - 反向传输电容 (Crss):最大值 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):最大值 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):最大值 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):最大值 nC
    绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS):650V
    - 栅源电压 (VGS):±30V
    - 连续漏极电流 (ID):25°C 时最大 35A,100°C 时最大 10A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):88mJ

    产品特点和优势


    - 低 FOM 值:Ron x Qg 低,有助于降低传导和开关损耗。
    - 低输入电容:Ciss 低,减少栅极驱动需求,提升能效。
    - 超低栅极电荷:Qg 小,降低开关损耗,提升转换效率。
    - 可靠性和稳定性:通过重复脉冲和单脉冲雪崩测试,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 服务器和电信电源:适用于大功率设备,提高电源转换效率。
    - 开关模式电源 (SMPS):降低电路中的损耗,提高系统效率。
    - 功率因数校正电源 (PFC):优化电能利用,减少谐波污染。
    - 照明:适用于 HID 和荧光灯等高功率灯具。
    - 工业:用于电机控制和逆变器等领域。
    使用建议
    - 散热管理:由于高功耗,需确保良好的散热条件,可使用散热片或散热风扇。
    - PCB 设计:低寄生电感设计,减少杂散电感带来的影响。
    - 驱动电路:采用低阻抗驱动,减少栅极充电时间。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于多种驱动电路和电源系统,具有良好的通用性。
    - 技术支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和支持,确保用户能够顺利使用产品。
    - 售后服务:提供售后支持,解答用户在使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    - 栅极电压不稳定
    - 过热保护失效
    解决方案
    - 栅极电压不稳定:检查栅极驱动电路,确保输出电压稳定。
    - 过热保护失效:改善散热设计,确保温度不超出安全范围。

    总结和推荐


    VBsemi WFF7N60 N-Channel 功率 MOSFET 在高性能和高可靠性方面表现出色,适用于多种工业和消费电子产品。凭借其低损耗、高效率的特点,是电源管理系统的理想选择。考虑到其广泛应用和良好的兼容性,强烈推荐给需要高效、可靠的电源管理解决方案的工程师和技术人员。
    本文档由 VBsemi 提供,更多详细信息请访问官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com) 或联系我们的客服:400-655-8788。

WFF7N60-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 10A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFF7N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFF7N60-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFF7N60-VB WFF7N60-VB数据手册

WFF7N60-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 42.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336