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IRLIZ44A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: IRLIZ44A-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRLIZ44A-VB

IRLIZ44A-VB概述

    电子元器件技术手册:IRLIZ44A-VB N-Channel MOSFET

    1. 产品简介


    IRLIZ44A-VB 是一款由台湾VBsemi公司生产的N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),额定电压为60V。该器件主要用于高压隔离电路中,适用于多种高功率应用,如电源管理和电机控制等。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 额定电压:VDS = 60V
    - 电流能力:ID = 45A (TC = 25°C),IMD = 220A (脉冲)
    - 漏源导通电阻:RDS(on) = 0.027Ω (VGS = 10V)
    - 电荷量:Qg(Max) = 95nC,Qgs = 27nC,Qgd = 46nC
    - 功率耗散:PD = 52W (TC = 25°C)
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压:VDS ≥ 60V (VGS = 0V, ID = 250µA)
    - 门限电压:VGS(th) = 1.0 - 3.0V (VDS = VGS, ID = 250µA)
    - 零门限电压漏电流:IDSS ≤ 25µA (VDS = 60V, VGS = 0V)

    - 动态参数
    - 输入电容:Ciss ≤ 1500pF (VGS = 0V, VDS = 25V, f = 1.0MHz)
    - 输出电容:Coss ≤ 300pF
    - 转移电容:Crss ≤ 12pF (VDS = 25V, f = 1.0MHz)
    - 总栅极电荷:Qg ≤ 5nC (ID = 52A, VGS = 10V, VDS = 48V)
    - 热阻参数
    - 最大结点到外壳热阻:RthJC ≤ 3.1°C/W
    - 最大绝对额定值
    - 最大栅源电压:VGS = ±20V
    - 最大连续漏极电流:ID = 45A (TC = 25°C),IMD = 220A (脉冲)
    - 最大单脉冲雪崩能量:EAS = 100mJ
    - 峰值二极管恢复电压:dV/dt ≤ 4.5V/ns
    - 工作结温和存储温度范围:TJ, Tstg = -55°C to +175°C

    3. 产品特点和优势


    - 高压隔离: 具有2.5kVRMS的高电压隔离,可确保安全运行。
    - 高可靠性: 采用全封装设计,耐高温,能在175°C下正常工作。
    - 低热阻: 低热阻设计提高了散热效率,延长了器件寿命。
    - 低噪声: 封装设计和材料选择有效减少了EMI(电磁干扰)和RFI(射频干扰)。
    - 环保无铅: 该器件符合RoHS标准,为环保生产提供保证。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:IRLIZ44A-VB 在工业电源转换器中表现优异,尤其是在高压环境中稳定运行。
    - 使用建议:
    - 确保散热片足够大以维持低结温,避免长期过载导致的热失效。
    - 在高压切换应用中使用适当的保护措施,如设置合适的栅极电阻以减缓开关速度。
    - 定期检查器件的工作温度,避免超温情况。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IRLIZ44A-VB 与现有的电路板设计高度兼容,可以轻松替换其他N-Channel MOSFET。
    - 技术支持:台湾VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决使用中的任何问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:MOSFET过热。
    - 解决办法:增加散热片面积,确保良好的空气流通,适当降低工作频率。
    - 问题2:MOSFET损坏。
    - 解决办法:检查电路中的电容和电感值,确保匹配,避免过度瞬态电压损害。

    7. 总结和推荐


    IRLIZ44A-VB N-Channel MOSFET 具备高电压隔离、低热阻和高可靠性等特点,适用于工业和汽车领域中的高压转换应用。推荐客户在需要高性能和可靠性的高压环境中使用此产品。同时,建议在使用过程中关注散热问题,确保设备正常运行。

IRLIZ44A-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 45A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IRLIZ44A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRLIZ44A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRLIZ44A-VB IRLIZ44A-VB数据手册

IRLIZ44A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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