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3N0409-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,40V,85A,RDS(ON),4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.85Vth(V) 封装:TO252适用于中等功率控制和驱动应用,包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。
供应商型号: 3N0409-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 3N0409-VB

3N0409-VB概述

    N-Channel 4-V MOSFET 产品技术手册

    产品简介


    产品类型:
    本产品为N沟道4-V(D-S)功率MOSFET,型号为3N0409。这种类型的MOSFET特别适用于同步整流和电源供应等领域。
    主要功能:
    - 采用TrenchFET®技术提高开关效率。
    - 经过100% Rg和UIS测试,确保稳定性与可靠性。

    应用领域:
    - 同步整流电路
    - 功率转换与调节
    - 电源管理系统

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | 4 | - | V |
    | 漏极连续电流 | 85 | 110 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | 250 | - | A |
    | 反向恢复电荷 | 70 | 105 | nC |
    | 阈值电压范围 | 1.2 | 2.5 | V |
    | 输入电容 | 2380 | - | pF |
    | 输出电容 | 550 | - | pF |

    产品特点和优势


    1. 高效能: TrenchFET® 技术可提供低导通电阻(0.0050Ω @ VGS=10V),实现高效的功率转换。
    2. 高可靠性: 经过严格的100% Rg和UIS测试,确保在极端条件下的稳定运行。
    3. 快速响应: 低栅极电荷(Qg)使得开关速度快,适合高频应用。
    4. 高集成度: 采用TO-252封装,便于安装和布线,减少了PCB空间需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在一台笔记本电脑的电源适配器中,3N0409用于实现同步整流,提高了电源转换效率,减少了热量产生。
    - 在工业自动化设备的电源模块中,作为关键的电源管理组件,增强了系统的可靠性和稳定性。
    使用建议:
    - 当应用于高频率场景时,建议使用更小的栅极电阻以优化开关速度。
    - 对于高功率应用,确保良好的散热设计,避免因过热导致的损坏。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品支持与常见的电子设备和系统兼容,包括大多数的PCB设计工具和生产流程。
    - 厂商提供了详尽的技术支持文档和指导,帮助用户进行产品选型和设计。
    支持与维护:
    - 客户可以联系厂商的服务热线(400-655-8788)获得技术支持和售后服务。
    - 提供详尽的在线资源库和用户社区,方便用户交流经验和获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开关损耗过高。
    - 解决方案: 调整栅极电阻值或优化驱动信号。
    2. 问题: 热管理不佳。
    - 解决方案: 增加散热片或使用热导胶填充空隙。
    3. 问题: 漏电流过大。
    - 解决方案: 确认正确的封装和安装方式,检查是否有短路。

    总结和推荐


    综合评估:
    3N0409 MOSFET凭借其高效的功率转换能力、高可靠性和紧凑的设计,在同步整流和电源管理应用中表现出色。无论是消费电子还是工业设备,它都能提供优秀的性能和可靠性。
    推荐使用:
    鉴于其出色的特性和广泛的应用范围,强烈推荐将3N0409 MOSFET用于各种需要高效能功率转换的场合。它不仅能够提升系统性能,还能简化设计过程,降低开发成本。

3N0409-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@10V,5mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 85A
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.85V
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

3N0409-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

3N0409-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 3N0409-VB 3N0409-VB数据手册

3N0409-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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