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J557A-T1B-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: J557A-T1B-A-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J557A-T1B-A-VB

J557A-T1B-A-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30V MOSFET
    P-Channel 30V MOSFET 是一种采用沟槽技术的功率场效应晶体管(TrenchFET® Power MOSFET),适用于移动计算领域。它广泛应用于负载开关、笔记本适配器开关和直流/直流转换器等多种场合。

    技术参数


    - 工作电压:最大漏源电压(VDS)为 30V
    - 持续漏极电流:在 25°C 时最大连续漏极电流(ID)为 5.6A,在 70°C 时最大连续漏极电流为 5.1A
    - 脉冲漏极电流:最大脉冲漏极电流(IDM)为 18A
    - 存储温度范围:工作结温和存储温度范围为 -55°C 至 150°C
    - 热阻抗:最大结到环境热阻抗(RthJA)为 75°C/W,最大结到引脚(漏极)稳态热阻抗(RthJF)为 40°C/W
    - 阈值电压:栅源阈值电压(VGS(th))在 -0.5V 到 2.0V 之间
    - 反向恢复时间:体二极管反向恢复时间为 15ns 至 23ns
    - 电容特性:输入电容(Ciss)为 1295pF,输出电容(Coss)为 150pF,反向转移电容(Crss)为 130pF

    产品特点和优势


    P-Channel 30V MOSFET 的关键特点是其高效率和低导通电阻(RDS(on))。在 -10V 时的最大导通电阻仅为 0.046Ω。此外,它具备优良的栅极电荷(Qg)和反向恢复特性,使其适合高速开关应用。其耐用的设计确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 笔记本电脑适配器:由于其低功耗和高效率,适用于笔记本电脑电源管理。
    - 直流/直流转换器:可以用于需要高效能转换的应用场合。
    使用建议
    - 在设计电路时,应考虑 MOSFET 的最大连续漏极电流和脉冲漏极电流限制,以避免过载。
    - 在高频率开关应用中,应注意栅极电容的影响,确保合适的驱动电路设计。
    - 为了提高散热效果,可以在 MOSFET 上安装散热片,并确保良好的散热路径。

    兼容性和支持


    P-Channel 30V MOSFET 采用 TO-236 (SOT-23) 封装,易于表面贴装。该器件与其他同类产品兼容,可方便地替换。制造商提供了全面的技术支持和售后服务,包括详细的技术文档和问题解答。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 高温环境下 MOSFET 寿命短?
    解决办法: 通过增加外部散热措施来降低结温,如安装散热片或改善空气流通。
    - 问题: 开关过程中出现过电压?
    解决办法: 使用合适的栅极电阻(Rg)以限制开关速度,防止过电压现象。
    - 问题: MOSFET 在大电流下表现不稳定?
    解决办法: 确保电路设计中电流不超过 MOSFET 的额定值,并使用适当的散热措施。

    总结和推荐


    P-Channel 30V MOSFET 是一款性能卓越、稳定性高的功率场效应晶体管,特别适合于笔记本电脑、直流/直流转换器等移动计算应用。其高效的转换能力和低功耗特性使其成为市场上非常有竞争力的产品。总体而言,该产品非常适合需要高性能和可靠性的应用场景,强烈推荐使用。
    联系方式:服务热线:400-655-8788

J557A-T1B-A-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5.6A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J557A-T1B-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J557A-T1B-A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J557A-T1B-A-VB J557A-T1B-A-VB数据手册

J557A-T1B-A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
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12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
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