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UT85N03L-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,120A,RDS(ON),3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V) 封装:TO220\n适用于需要高功率、高压承受能力和高效率要求的电路和模块,如电动车控制器、工业电源模块和焊接设备控制器等领域。
供应商型号: UT85N03L-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT85N03L-TA3-T-VB

UT85N03L-TA3-T-VB概述

    # N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    UT85N03L-TA3-T 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的 TrenchFET® 技术制造,广泛应用于开关电源、服务器、逆变器等电子系统。此器件具有高可靠性和优异的热管理能力,符合 RoHS 指令要求(2011/65/EU),确保绿色设计。
    主要功能
    - 高耐压等级(VDS = 30 V)
    - 高效率开关性能,支持高速切换应用
    - 极低导通电阻(RDS(on)),减少功耗和温升
    - 支持 OR-ing 功能
    应用领域
    - 数据中心服务器的电源模块
    - 开关电源中的负载保护
    - 工业控制和通信设备的 DC/DC 转换

    技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | 30 | - | V |
    | 门极-源极电压 | VGS | -20 | - | +20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 120 | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 64.8 | - | mJ |
    | 最大结到环境热阻抗 | RthJA | 32 | 40 | - | °C/W |
    | 漏极-源极体二极管正向电流 | IS | - | 90 | - | A |

    产品特点和优势


    1. 高效能导通特性
    - 极低的导通电阻(RDS(on)):10 V 时为 0.003 Ω,显著降低功耗,尤其适合大电流应用。
    - 优异的静态和动态参数,确保快速开关操作。
    2. 卓越的热稳定性
    - 热阻抗 RthJA 仅为 32 °C/W,配合良好的散热设计,可在高功率条件下保持稳定运行。
    3. 高可靠性设计
    - 100% 的栅极电阻(Rg)和 UIS 测试,保证产品的长期可靠性和耐用性。
    4. 环保合规
    - 完全符合 RoHS 标准,适合全球化应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器电源模块:UT85N03L-TA3-T 可用于多相同步降压拓扑,支持高效率的直流电源转换。
    - 负载保护电路:其 OR-ing 功能可实现系统冗余设计,提升系统的可靠性。
    使用建议
    1. 散热设计
    - 在高电流密度环境下,需使用合适的散热片以降低器件温度,延长使用寿命。
    2. 门极驱动设计
    - 使用适当的门极电阻(Rg),避免振铃效应,确保稳定的开关性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    - UT85N03L-TA3-T 适用于主流 PCB 尺寸(1" x 1" FR4 板),可轻松集成于现有设计中。
    厂商支持
    - 技术支持:提供 24/7 技术支持,协助解决客户问题。
    - 文档资料:完整的技术手册和应用笔记均可从官网下载。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 增加散热设计或选择更低 RDS(on) 的型号。 |
    | 导通时间过长 | 调整门极驱动电阻(Rg)以优化开关速度。 |
    | 电路失效或损坏 | 确保输入电压和电流在绝对最大额定值内运行。 |

    总结和推荐


    综合评估
    UT85N03L-TA3-T 以其低导通电阻、高效热管理和绿色设计成为高性能 MOSFET 的优秀代表,非常适合需要高效率和高可靠性的应用场景。
    推荐使用
    强烈推荐此产品用于需要高效率和高可靠性的应用场景,例如服务器电源、DC/DC 转换器及工业控制设备。
    服务热线:400-655-8788

    © VBsemi Technologies, All Rights Reserved.

UT85N03L-TA3-T-VB参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 120A
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@10V,4mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT85N03L-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT85N03L-TA3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT85N03L-TA3-T-VB UT85N03L-TA3-T-VB数据手册

UT85N03L-TA3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
1000+ ¥ 1.987
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