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UP2790L-S08-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款双 N 型和 P 型沟道功率 MOSFET,采用槽沟技术制造。该产品具有双极性设计,能够同时控制正负极电流,适用于各种功率控制和开关应用。封装为 SOP8,易于安装和集成,适用于各种电路设计。±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(V)
供应商型号: UP2790L-S08-R-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UP2790L-S08-R-VB

UP2790L-S08-R-VB概述

    UP2790L-S08-R N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 技术手册解读

    一、产品简介


    UP2790L-S08-R 是一款高性能的N-和P-通道30伏特(D-S)功率MOSFET,采用VBsemi公司的TrenchFET®技术制造。该产品广泛应用于电机驱动和移动电源等领域,具备无卤化设计,并符合RoHS指令要求。其独特的技术特性使其成为高性能应用的理想选择。

    二、技术参数


    以下为UP2790L-S08-R的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | V | 30 30 |
    | 栅源击穿电压 | VGS | V | ±20 ±20 |
    | 持续漏极电流(TJ=150°C)| ID | A | 6.8 | 8 | 6.8 |
    | 脉冲漏极电流(10 µs脉宽)| IDM | A | 40 40 |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | A | 10 20 |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | mJ | 5 20 |
    | 热阻(结至环境最大值) | RthJA | °C/W | 50 | 62.5 | 47 |
    其他参数详见上文表格及图表。

    三、产品特点和优势


    1. 高可靠性:产品经过100% Rg和UIS测试,确保可靠运行。
    2. 无卤化环保设计:符合IEC 61249-2-21定义,符合RoHS标准。
    3. 低导通电阻:RDS(on)典型值在0.018 Ω到0.050 Ω之间,适合高效率应用。
    4. 宽工作温度范围:支持-55°C至150°C的存储和操作温度,适应恶劣环境。

    四、应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电机驱动系统:如电动车窗控制器、电动工具等。
    - 移动电源:UP2790L-S08-R可有效提升移动电源的能量传输效率。
    使用建议:
    - 在高温环境下,应根据热阻参数选择适当的散热设计。
    - 应用中需注意脉冲电流的限制,避免超过额定值以防止损坏。

    五、兼容性和支持


    UP2790L-S08-R 支持标准SO-8封装,可轻松集成到现有电路板设计中。厂商提供全面的技术支持和售后保障,帮助客户快速解决问题。

    六、常见问题与解决方案


    | 常见问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 确保栅源电压达到标称值,检查电路连接。 |
    | 工作温度超出限制 | 使用散热片或降低负载,改善散热条件。 |

    七、总结和推荐


    总结:
    UP2790L-S08-R以其低导通电阻、高可靠性和广泛的适用性,成为电机驱动和移动电源领域的优选器件。其无卤化设计和符合RoHS标准的特点使其更加环保和合规。
    推荐:
    强烈推荐在需要高效率、高可靠性的场合使用UP2790L-S08-R,尤其适用于需要长期稳定工作的应用环境。

UP2790L-S08-R-VB参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 ±30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 9A,6A
FET类型 N+P沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 ±1.65V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UP2790L-S08-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UP2790L-S08-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UP2790L-S08-R-VB UP2790L-S08-R-VB数据手册

UP2790L-S08-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
4000+ ¥ 1.1597
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