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K3385-Z-E1-AZ-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252\n是一款性能优越的功率MOSFET,适用于多种领域的功率电子应用,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足电源供应模块、电动工具、电动车控制器、工业自动化、LED照明不同应用的需求。
供应商型号: K3385-Z-E1-AZ-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3385-Z-E1-AZ-VB

K3385-Z-E1-AZ-VB概述

    K3385-Z-E1-AZ N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K3385-Z-E1-AZ 是一种由台湾VBsemi公司生产的N沟道60-V功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它采用TrenchFET®技术,具备出色的热性能和低导通电阻。这种MOSFET广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。

    2. 技术参数


    以下是K3385-Z-E1-AZ的主要技术参数:
    - 最大漏源电压 (VDS):60 V
    - 导通电阻 (rDS(on)):
    - 在 VGS = 10 V时为0.025 Ω
    - 在 VGS = 4.5 V时为0.030 Ω
    - 连续漏电流 (ID):23 A(TC = 25 °C)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):100 A
    - 最大耗散功率 (PD):100 W(TC = 25 °C)
    - 绝对最大额定值 (Abs. Max. Ratings):
    - 漏极-源极击穿电压:60 V
    - 栅极-源极电压:± 20 V
    - 工作结温和存储温度范围:-55 至 175 °C
    - 热阻 (Thermal Resistance):
    - 最大结至环境热阻 (RthJA):18°C/W(≤ 10 秒),22°C/W(稳态)
    - 最大结至外壳热阻 (RthJC):3.2°C/W
    - 认证:符合RoHS标准

    3. 产品特点和优势


    K3385-Z-E1-AZ 具备以下独特功能和优势:
    - 高耐温性能:结温可达175 °C,适用于高温环境下的应用。
    - 低导通电阻:提供较低的导通电阻,减少功率损耗,提高效率。
    - 快速开关性能:具有较低的输入电容和输出电容,使得开关速度快。
    - 高可靠性:采用先进的TrenchFET®技术,确保长期运行的可靠性。
    - 兼容性强:支持多种应用场合,易于集成到现有系统中。

    4. 应用案例和使用建议


    K3385-Z-E1-AZ MOSFET适用于各种电力应用,如:
    - 电源管理:可用于开关电源的设计,降低功耗并提高效率。
    - 电机驱动:适合作为电动机驱动器中的开关元件,实现高效控制。
    - DC-DC转换器:用于高效率的直流-直流转换器设计。
    使用建议:
    - 在使用过程中,要确保散热良好,避免因过热导致损坏。
    - 注意栅极驱动电路的设计,以减少栅极振荡现象。
    - 根据具体应用选择合适的栅极驱动电压和工作温度范围。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:K3385-Z-E1-AZ 与标准TO-252封装兼容,可直接替换同类产品。
    - 支持和服务:台湾VBsemi公司提供详尽的技术文档和支持服务,客户可通过400-655-8788服务热线获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 问题一:如何选择合适的栅极驱动电压?
    - 解决办法:根据MOSFET的数据手册选择合适的栅极驱动电压。一般情况下,选择比阈值电压高1-2V的驱动电压即可。
    - 问题二:如何避免过热问题?
    - 解决办法:确保良好的散热措施,如使用散热片或散热器,并适当降低负载电流。

    7. 总结和推荐


    综上所述,K3385-Z-E1-AZ 是一款高性能的N沟道60-V MOSFET,具有低导通电阻、高耐温性能及快速开关性能。它适用于广泛的电力应用,能够显著提升系统的整体性能。强烈推荐在需要高可靠性和高效率的应用场合中使用此产品。
    更多详细信息,请访问官方网站 www.VBsemi.com 或联系客户服务热线 400-655-8788。

K3385-Z-E1-AZ-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 45A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@10V,28mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3385-Z-E1-AZ-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3385-Z-E1-AZ-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3385-Z-E1-AZ-VB K3385-Z-E1-AZ-VB数据手册

K3385-Z-E1-AZ-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
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