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IXTP22N50PM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: IXTP22N50PM-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTP22N50PM-VB

IXTP22N50PM-VB概述

    IXTP22N50PM-VB N-Channel 650V Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IXTP22N50PM-VB 是一款 N 沟道 650V(D-S)超级结功率 MOSFET。这种 MOSFET 设计用于高效率的应用,如服务器和电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源,以及各种照明系统,包括高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器。它还适用于工业领域的多种场合。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±30 | - | ±30 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | - | 20 | 532 | A |
    | 瞬态漏极电流 | IDM | - | - | - | A |
    | 雪崩能量 | EAS | - | - | 360 | mJ |
    | 功耗 | PD | - | - | 200 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |
    | 栅极输入电阻 | Rg | - | - | 0.78 | Ω |
    | 阈值电压 | VGS(th) | 2 | - | 5 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.19 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 2322 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 105 | - | - |
    | 反向传输电容 | Crss | - | - | - | - |
    | 总栅极电荷 | Qg | - | 106 | - | nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | - | 14 | - | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | - | 33 | - | - |

    3. 产品特点和优势


    - 低优值系数(Ron x Qg):提供了出色的低损耗特性。
    - 低输入电容(Ciss):减少了开关损耗,提高了效率。
    - 超低栅极电荷(Qg):有助于降低导通和关断过程中的能量损失。
    - 雪崩能量额定值(UIS):具备强大的雪崩耐受能力。
    - 温度系数:在高温环境下仍能保持稳定的性能。
    - 宽广的工作温度范围:可在极端环境下可靠工作。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器和电信电源:适用于数据中心和电信基站中的电源转换,能够有效提升能源效率。
    - 开关模式电源(SMPS):适合用于各种消费电子设备和工业设备中的电源转换模块。
    - 照明系统:适用于高强度放电灯和荧光灯的镇流器,提供高效且稳定的电流控制。
    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,确保有足够的散热措施。
    - 在选择配套元件时,考虑其与MOSFET的电气特性匹配度,以确保最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET可与其他标准的电子元器件配合使用,具有良好的兼容性。
    - 技术支持:制造商提供全面的技术支持,包括设计咨询、故障排查和产品维修等服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 减少开关频率,增加散热措施 |
    | 启动时电流过冲较大 | 调整栅极电阻,优化驱动电路设计 |
    | 工作时温度超出限定范围 | 加装散热片或风扇,改善散热条件 |

    7. 总结和推荐


    IXTP22N50PM-VB 是一款在效率、稳定性和可靠性方面表现出色的N沟道超级结功率MOSFET。它的多项先进技术参数使其成为工业级电源转换应用的理想选择。无论是从性能还是成本效益来看,这款产品都值得推荐。
    如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系我们的服务热线:400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com。

IXTP22N50PM-VB参数

参数
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 20A
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTP22N50PM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTP22N50PM-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXTP22N50PM-VB IXTP22N50PM-VB数据手册

IXTP22N50PM-VB封装设计

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