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K2152-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-30V,-5.8A,RDS(ON),50mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-0.6~-2Vth(V) 封装:SOT89-3
供应商型号: K2152-VB SOT89-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2152-VB

K2152-VB概述


    产品简介


    P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    这款P-Channel MOSFET是VBsemi公司生产的高效能功率场效应晶体管(Power MOSFET),采用了先进的TrenchFET技术。该器件适用于多种负载开关和电池切换应用,特别适合用于高可靠性要求的场合。该产品具有无卤素环保设计,符合IEC 61249-2-21标准定义。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\): \(-30\) V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): \(\pm20\) V
    - 持续漏极电流 \(ID\): \(-7.6\) A (\(TJ = 150^\circ\)C)
    - 最大脉冲漏极电流 \(I{DM}\): \(-35\) A
    - 源极-漏极二极管电流 \(IS\): \(-3.5\) A (\(TC = 25^\circ\)C)
    静态特性
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\): \(-30\) V
    - 栅源阈值电压 \(V{GS(th)}\): \(-1.0 \sim -2.5\) V
    - 开启状态漏极电流 \(I{D(on)}\): \(-20\) A (\(V{DS} \leq -5\) V, \(V{GS} = -10\) V)
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS} = -10\) V, \(ID = -7.0\) A: \(0.050 \Omega\)
    - \(V{GS} = -4.5\) V, \(ID = -5.6\) A: \(0.056 \Omega\)
    动态特性
    - 输入电容 \(C{iss}\): 1355 pF (\(V{DS} = -15\) V, \(V{GS} = 0\) V, \(f = 1\) MHz)
    - 输出电容 \(C{oss}\): 180 pF
    - 反向转移电容 \(C{rss}\): 145 pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\):
    - \(V{DS} = -15\) V, \(V{GS} = -10\) V, \(ID = -7.0\) A: 25 nC
    - \(V{DS} = -15\) V, \(V{GS} = -4.5\) V, \(ID = -7.0\) A: 13 nC

    产品特点和优势


    - 高可靠性和耐用性: 符合严格的绝对最大额定值标准。
    - 高效的开关性能: 低导通电阻和高速开关时间,有助于提高系统效率。
    - 无卤素环保设计: 符合IEC 61249-2-21标准。
    - 全面测试保证: 所有产品均经过100%栅极电阻测试。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 负载开关
    - 电池切换
    使用建议
    在负载开关应用中,确保MOSFET工作温度不超过绝对最大额定值,避免因过热导致性能下降。对于电池切换应用,选择合适的驱动电压以确保低导通电阻,从而减少损耗并提高整体效率。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 该MOSFET采用SOT89封装,易于集成到现有电路中,与多种电路板兼容。
    支持
    - 提供详细的技术手册和技术支持。
    - 客户可以联系VBsemi的客户服务热线400-655-8788获取更多信息和帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 产品工作时温度过高。
    - 解决方案: 确保良好的散热措施,如使用散热片或风扇。

    2. 问题: 开关时间过长。
    - 解决方案: 适当调整栅极电阻,优化驱动信号。

    3. 问题: 漏电流过大。
    - 解决方案: 检查栅极电压是否满足阈值要求,确保漏源电压低于绝对最大额定值。

    总结和推荐


    该P-Channel MOSFET凭借其高效、可靠的性能,适用于多种高压应用场合。其独特的无卤素环保设计和100%栅极电阻测试保证,使其在市场上具备较强的竞争力。鉴于其出色的特性和广泛的应用范围,我们强烈推荐使用这款产品。对于需要高性能、高可靠性的用户来说,这款MOSFET无疑是一个优秀的选择。

K2152-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 5.8A
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 50mΩ@10V,56mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -600mV~-2V
通道数量 -
配置 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K2152-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2152-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2152-VB K2152-VB数据手册

K2152-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.8746
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500+ ¥ 0.7773
1000+ ¥ 0.745
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