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HFP2N65U-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供可靠的电气特性和稳定的性能。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: HFP2N65U-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HFP2N65U-VB

HFP2N65U-VB概述


    产品简介


    HFP2N65U-VB是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于各种电力转换和控制应用。它的主要功能是在高电压和大电流条件下提供高效的开关操作。典型的应用包括电源供应器、电机驱动器、太阳能逆变器和焊接设备等。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) 650 V |
    | 栅源电压(VGS) | ±20 ±30 | V |
    | 连续漏极电流(ID) 1.28 A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) 8 A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) 165 mJ |
    | 反复雪崩电流(IAR) 2 A |
    | 反复雪崩能量(EAR) 6 mJ |
    | 最大功耗(PD) 45 W |
    | 峰值二极管恢复dV/dt 2.8 V/ns |
    | 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg) | -55 150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 低栅极电荷(Qg):HFP2N65U-VB具有低栅极电荷,这意味着其驱动要求简单,从而减少了驱动电路的复杂度和成本。
    2. 增强的栅极和动态dV/dt鲁棒性:具备更强的栅极、雪崩和动态dV/dt耐受能力,提高了产品的可靠性和稳定性。
    3. 全面表征的电容和雪崩电压电流:产品通过了RoHS指令2002/95/EC认证,确保了环保合规。

    应用案例和使用建议


    HFP2N65U-VB适用于多种电力转换设备,例如电源供应器、电机驱动器和太阳能逆变器。为了优化其性能,在设计应用电路时应考虑以下几个方面:
    1. 热管理:由于其较高的功耗,需要有效的散热措施以保持良好的工作温度,如使用散热片。
    2. 电路布局:在布局时应减少寄生电感的影响,同时使用接地平面以降低泄漏电感电流。
    3. 测试电路:根据制造商提供的测试电路,如图10a和图10b所示,进行验证和测试。

    兼容性和支持


    HFP2N65U-VB兼容大多数标准的电路板设计和制造流程,适合与其他电子元器件或设备集成。制造商提供了详尽的技术支持和售后服务,包括设计咨询和技术文档。

    常见问题与解决方案


    1. 温度限制问题:
    - 问题:产品在高温环境下性能下降。
    - 解决方案:增加散热措施,确保工作温度不超过150°C。
    2. 驱动信号不稳定:
    - 问题:栅极驱动信号不稳导致开关不稳定。
    - 解决方案:检查并调整驱动电路,确保驱动信号稳定且符合规范。

    总结和推荐


    HFP2N65U-VB是一款高性能的N沟道功率MOSFET,以其低栅极电荷、增强的鲁棒性和环保合规等特点,非常适合应用于高可靠性要求的电力系统中。我们强烈推荐该产品用于各种电力转换和控制应用,尤其是那些对温度和驱动信号稳定性要求高的场合。

HFP2N65U-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 2A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 3120mΩ@10V,3900mΩ@4.5V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HFP2N65U-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HFP2N65U-VB数据手册

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HFP2N65U-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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