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JCS2N60FA-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如无线通信系统中的射频功率放大器。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),1700mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: JCS2N60FA-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS2N60FA-O-F-N-B-VB

JCS2N60FA-O-F-N-B-VB概述

    产品概述
    JCS2N60FA-O-F-N-B-VB N-Channel 650V Power MOSFET
    产品简介:
    JCS2N60FA-O-F-N-B-VB是一款N沟道650V耐压的功率MOSFET,广泛应用于开关电源、逆变器、马达驱动及工业控制等领域。该器件以其低门极电荷和高可靠性著称,在提高系统效率和降低功耗方面表现优异。

    技术参数


    - 耐压 (VDS):650V
    - 导通电阻 (RDS(on)):4.0Ω (在VGS = 10V时)
    - 最大总栅极电荷 (Qg):11nC
    - 栅源电荷 (Qgs):2.3nC
    - 栅漏电荷 (Qgd):5.2nC
    - 连续漏极电流 (ID):1.28A(Tc = 100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):8A
    - 最大雪崩能量 (EAS):165mJ
    - 最大结温 (TJ):-55°C 至 +150°C
    - 封装形式:TO-220 Fullpak

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷:低门极电荷减少了驱动要求,有助于简化设计并降低成本。
    2. 坚固耐用:改进的门极、雪崩及动态dV/dt耐受性,确保了在苛刻环境下的稳定运行。
    3. 全面的电容和雪崩特性:全范围的电容及雪崩电压电流特性,使其在多种条件下都能可靠工作。
    4. 符合RoHS标准:该产品符合RoHS 2002/95/EC指令,适用于环保要求严格的场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    JCS2N60FA-O-F-N-B-VB在逆变器和电机驱动器中表现尤为出色。例如,逆变器需要高速开关和低损耗,而该器件的低RDS(on)和低Qg特性正好满足这些需求。电机驱动器则受益于其强大的雪崩能力和高耐压特性。
    使用建议:
    - 在使用过程中,注意散热管理以避免高温导致的性能下降。
    - 确保正确选择驱动电路,以充分利用其低门极电荷的优势。
    - 结合外部电路优化可以进一步提升整体系统的效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与现有的TO-220 Fullpak封装兼容,可直接替换传统器件。
    - 支持与维护:制造商提供详细的技术文档和应用指南,技术支持热线随时解答用户疑问,帮助用户顺利实施项目。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关过程中出现异常噪声。
    解决方案: 检查驱动电路设计,确保门极电阻合适且无过多杂散电感。
    - 问题2: 过热保护触发频繁。
    解决方案: 加强散热措施,确保良好的散热条件,检查负载电流是否超过额定值。

    总结和推荐


    总结:
    JCS2N60FA-O-F-N-B-VB是一款高性能、低成本的N沟道650V MOSFET,具备低门极电荷、高可靠性等显著优势,适用于多种高压应用场合。无论是逆变器还是电机驱动,该器件均能提供出色的性能和稳定性。
    推荐:
    鉴于其卓越的性能和广泛应用潜力,我们强烈推荐使用JCS2N60FA-O-F-N-B-VB,特别是在需要高效开关和高耐压的应用环境中。

JCS2N60FA-O-F-N-B-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7Ω@ 10V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 2A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS2N60FA-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS2N60FA-O-F-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS2N60FA-O-F-N-B-VB JCS2N60FA-O-F-N-B-VB数据手册

JCS2N60FA-O-F-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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型号 价格(含增值税)
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