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4N60L-TA3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220 具有高漏源极电压和适中的栅源极电阻,适用于各种电源模块,包括开关电源、逆变器等。
供应商型号: 4N60L-TA3-T-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4N60L-TA3-T-VB

4N60L-TA3-T-VB概述

    4N60L-TA3-T-VB MOSFET 技术手册综述

    产品简介


    4N60L-TA3-T-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N 沟道 650V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它适用于多种电力转换和驱动应用,例如开关电源、电机驱动和电池管理等领域。该器件具有高可靠性和低功耗的特点,是工业控制和消费电子产品中的理想选择。

    技术参数


    以下是 4N60L-TA3-T-VB 的关键技术规格和性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 650 | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.5 | - | 4.5 | V |
    | 栅源漏电电流 | IGSS | - | - | ±100 | nA |
    | 零栅电压漏电流 | IDSS | - | - | 25 | µA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 1.7 | - | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1017 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 170 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 7.0 | - | pF |
    | 总栅电荷 | Qg | - | 48 | - | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | 12 | - | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | 19 | - | nC |
    | 最大单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 325 | - | mJ |
    | 最大重复雪崩电流 | IAR | - | 4 | - | A |
    | 最大重复雪崩能量 | EAR | - | 6 | - | mJ |
    | 最大功率损耗 | PD | - | 60 | - | W |
    | 最大结到环境热阻 | RthJA | - | 65 | - | °C/W |

    产品特点和优势


    - 低栅电荷: 低栅电荷(Qg)可简化驱动需求,减少能耗。
    - 增强耐用性: 改进了栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性,确保长时间稳定运行。
    - 全面特性: 全面标定的电容和雪崩电压及电流特性,保证器件的可靠性和一致性。
    - 环保合规: 符合 RoHS 指令 2002/95/EC,适合绿色制造和应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: 常用于工业自动化设备的开关电源、变频器、以及汽车充电系统。
    - 使用建议: 在设计时考虑散热设计以避免过温问题;使用适当的驱动电路确保 MOSFET 在安全工作区域内运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该 MOSFET 与标准 TO-220AB 封装相兼容,可直接替换同类产品。
    - 支持: VBsemi 提供详尽的技术支持,包括用户手册、样品和开发工具,方便用户快速上手。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备在高负载下出现过热。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,增加外部散热片或者改进 PCB 设计以提高散热效率。

    2. 问题: MOSFET 启动延迟时间长。
    - 解决方案: 检查驱动电路,确认栅极驱动电压和驱动电阻的选择是否合理。

    总结和推荐


    4N60L-TA3-T-VB MOSFET 凭借其卓越的性能和广泛的应用范围,在工业和消费电子领域展现出强大的竞争力。其低栅电荷、增强的耐用性以及良好的热管理能力,使其成为众多应用的理想选择。推荐用户在设计新项目时考虑选用此款 MOSFET。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com

4N60L-TA3-T-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.2Ω@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 4A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

4N60L-TA3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4N60L-TA3-T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4N60L-TA3-T-VB 4N60L-TA3-T-VB数据手册

4N60L-TA3-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
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型号 价格(含增值税)
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