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9435GH-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 P沟道,-30V,-26A,RDS(ON),33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252在电源管理模块中,可用于电源开关、DC-DC转换器和电源逆变器等功能。
供应商型号: 9435GH-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9435GH-VB

9435GH-VB概述


    产品简介


    本产品是一款P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为9435GH。主要适用于负载开关和笔记本适配器开关等应用。采用TrenchFET®技术,具有卤素无害材料特性,保证了高效且可靠的电力管理。

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) | - | - | -30 | V |
    | 通态漏源电阻(RDS(on)) | - | 0.033(在VGS=-10V) | 0.046(在VGS=-4.5V) | Ω |
    | 漏极连续电流(ID) | - | - | 19 | nC |
    | 门极电荷(Qg) | - | 19(在VGS=-4.5V) | 25(在VGS=-10V) | nC |
    | 极限参数
    | 漏源电压(VDS) | -30 | - | - | V |
    | 门源电压(VGS) | ±20 | - | - | V |
    | 漏极连续电流(ID) | - | - | 4.1(在TA=25°C) | A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | - | - | 20 | mJ |
    | 最大功率耗散(PD) | - | - | 25 | W |
    | 结温范围(TJ, Tstg) | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    该P沟道MOSFET的主要特点如下:
    - 零卤素设计:环保材料,满足RoHS标准。
    - TrenchFET®技术:提供更高的电流密度和更低的通态电阻,有效提高效率。
    - 100% Rg和UIS测试:确保产品在极端条件下的可靠性。
    - 高热阻特性:最高可承受150°C的工作温度,适用于多种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:该产品在电源转换中可以作为开关,提供高效的电流控制。
    - 笔记本适配器开关:适用于笔记本电脑的电源管理系统,提供可靠的电流管理和保护。
    使用建议
    - 在使用时,应避免长时间处于极限工作状态,以减少功耗并延长使用寿命。
    - 确保良好的散热设计,特别是在高功率应用中,以保持低热阻特性。

    兼容性和支持


    该产品适用于多种电路板设计,尤其是采用FR4基板的设计。VBsemi公司提供了详细的技术支持和售后保障,确保客户能够充分利用产品的性能优势。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 通态电阻过高 | 确认门极电压符合要求,调整VGS至指定值。 |
    | 功率耗散过高 | 优化散热设计,降低环境温度或增加散热片。 |

    总结和推荐


    该P沟道MOSFET以其高效能和高可靠性,在负载开关和笔记本适配器等领域有着广泛的应用前景。其独特的技术特点使其在市场上具备很强的竞争力。因此,我们强烈推荐使用这款产品,尤其适用于对功耗和效率要求较高的应用场景。

9435GH-VB参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@10V,46mΩ@4.5V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 26A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

9435GH-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9435GH-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9435GH-VB 9435GH-VB数据手册

9435GH-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.3614
100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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