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NP55N03SUG-E1-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,60A,RDS(ON),10mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:TO252\n该场效应管适用于需要高电流和低压降的应用场合,能够在高功率、高频率的电路中发挥优异性能。其沟槽型技术可以提高器件的性能和稳定性,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备和系统。
供应商型号: NP55N03SUG-E1-AY-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP55N03SUG-E1-AY-VB

NP55N03SUG-E1-AY-VB概述

    NP55N03SUG-E1-AY N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    NP55N03SUG-E1-AY 是一款采用 TrenchFET® 技术的 N 沟道功率 MOSFET。它具有低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,适用于服务器电源管理和直流到直流转换等多种应用场合。该器件符合 RoHS 规范,并通过了所有必要的可靠性测试。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 30 V |
    | 门源电压 | VGS | ± 20 V |
    | 连续漏极电流 | ID | 25.8 90 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 250 A |
    | 雪崩电流 | IAS | 39 A |
    | 雪崩能量 | EAS | 94.8 mJ |
    | 最大功耗 | PD | 205 W |
    | 热阻抗 | RthJA | 32 40 | °C/W |

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:这种先进的制造工艺使得 NP55N03SUG-E1-AY 具有极低的导通电阻和较高的电流处理能力。
    2. 高可靠性:100% 的 Rg 和 UIS 测试确保其长期稳定可靠。
    3. 环保材料:符合 RoHS 标准,适用于绿色电子产品设计。

    应用案例和使用建议


    - OR-ing 应用:作为电源冗余设计的一部分,该 MOSFET 可以有效地减少系统故障时间。
    - 服务器电源管理:在服务器中,NP55N03SUG-E1-AY 用于直流到直流转换,提高能效。
    - 使用建议:由于具有较低的热阻抗,建议在外围电路中增加散热措施以延长使用寿命。

    兼容性和支持


    NP55N03SUG-E1-AY 采用 TO-252 封装,易于安装在标准 PCB 板上。厂商提供详细的电路图和安装指南,同时支持客户定制化需求和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何避免过热?
    - 答:建议使用散热片,并保证良好的通风条件,以降低热应力。

    2. 问:如果发现漏电现象怎么办?
    - 答:检查连接点是否有松动或损坏,并确认门源电压在安全范围内。

    总结和推荐


    NP55N03SUG-E1-AY N-Channel MOSFET 以其出色的性能和高可靠性,成为众多应用的理想选择。无论是服务器电源管理还是直流到直流转换,都能表现出色。我们强烈推荐这款产品用于需要高性能和高可靠性的电子系统设计中。

NP55N03SUG-E1-AY-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@10V,11mΩ@4.5V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 60A
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP55N03SUG-E1-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP55N03SUG-E1-AY-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP55N03SUG-E1-AY-VB NP55N03SUG-E1-AY-VB数据手册

NP55N03SUG-E1-AY-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.2606
500+ ¥ 1.2101
2500+ ¥ 1.1597
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