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IXTP60N28TM-A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,250V,12A,RDS(ON),190mΩ@10V,228mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.1Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: IXTP60N28TM-A-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IXTP60N28TM-A-VB

IXTP60N28TM-A-VB概述

    IXTP60N28TM-A-VB 技术手册解析

    产品简介


    IXTP60N28TM-A-VB 是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高动态电压变化率、重复雪崩额定值、快速开关、并联简易及驱动要求简单的特点。适用于电源管理、马达控制、通信设备和其他需要高效率转换的应用场景。

    技术参数


    - VDS(漏源击穿电压):250V
    - RDS(on)(导通电阻):典型值为0.19Ω(在VGS=10V时)
    - Qg(总栅极电荷):最大值为68nC
    - Qgs(栅源电荷):11nC
    - Qgd(栅漏电荷):35nC
    - IGSS(栅源漏电流):在VGS=±20V时为±100nA
    - ISD(持续源漏电流):14A(在TJ=25°C时)
    - IDM(脉冲漏电流):56A
    - PD(最大功耗):在TJ=25°C时为125W
    - EAS(单脉冲雪崩能量):550mJ
    - RDS(on)温度系数:在ID=1mA时为-0.34V/°C
    - 工作温度范围:-55°C到+150°C

    产品特点和优势


    1. 高动态电压变化率:能承受较高的电压变化率,适用于快速切换的应用。
    2. 重复雪崩额定值:能够承受多次雪崩事件,增强耐用性。
    3. 快速开关:优秀的开关性能,减少能耗,提高效率。
    4. 简单驱动:易于并联和驱动,减少外围电路复杂度。
    5. 可靠性高:具有较大的单脉冲雪崩能量和重复雪崩电流,能在恶劣环境下稳定工作。

    应用案例和使用建议


    - 电源管理:适用于高效率的直流-直流转换器、开关电源等。
    - 马达控制:适用于电动机驱动和制动系统,提供高效的电力转换。
    - 通信设备:用于电信基础设施中的电源管理模块。
    - 使用建议:为了最大化性能,建议使用低内阻驱动器,并注意散热设计以避免过热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于大多数标准的栅极驱动器。
    - 支持:VBsemi提供详尽的技术文档和客户支持,确保用户能够顺利部署和维护产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确驱动IXTP60N28TM-A-VB?
    - 解决办法:使用低内阻驱动器,并保证VGS电压在推荐范围内。
    2. 问题:如何防止过热?
    - 解决办法:增加散热片,保持良好的通风条件,合理安排电路布局以减少热阻。
    3. 问题:如何测试雪崩能量?
    - 解决办法:参考手册中的雪崩测试电路进行测试。

    总结和推荐


    IXTP60N28TM-A-VB 在多个方面表现出色,尤其适合需要高效率和可靠性的应用场景。其出色的性能和简单的驱动方式使其成为电源管理和电机控制的理想选择。尽管价格较高,但其高性价比使其值得投资。
    如果您正在寻找一个能够应对高电压变化、具备快速开关性能和高可靠性的MOSFET,IXTP60N28TM-A-VB无疑是一个明智的选择。强烈推荐给寻求高性能MOSFET的工程师和技术人员。

IXTP60N28TM-A-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 250V
Id-连续漏极电流 12A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@10V,228mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

IXTP60N28TM-A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IXTP60N28TM-A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IXTP60N28TM-A-VB IXTP60N28TM-A-VB数据手册

IXTP60N28TM-A-VB封装设计

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