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IRF842PBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 500V,13A,RDS(ON),660mΩ@10V,20Vgs(±V);3.1Vth(V) 封装:TO220一款Single N结构的功率MOSFET,具有中等电压和电流特性,该器件适用于电源模块.
供应商型号: IRF842PBF-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF842PBF-VB

IRF842PBF-VB概述

    IRF842PBF-VB N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    产品类型:
    IRF842PBF-VB 是一款 N-Channel 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 TO-220AB 封装。
    主要功能:
    - 适用于开关电源、电机驱动等高功率应用场景。
    - 高效低功耗设计,适合高频运行环境。
    - 提供出色的开关性能,降低驱动要求。
    应用领域:
    - 开关电源
    - 驱动电路
    - 电机控制
    - 逆变器
    - 消费电子

    技术参数


    - 最大栅源电压 (VGS):±20 V
    - 最大漏源电压 (VDS):500 V
    - 连续漏极电流 (ID):13 A(TC=25 °C);8.1 A(TC=100 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):50 A(重复脉冲,峰值温度限制)
    - 最大工作温度 (TJ, Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.660 Ω(VGS=10 V)
    - 总门极电荷 (Qg):81 nC(最大值)
    - 输入电容 (Ciss):1910 pF
    - 输出电容 (Coss):2730 pF(VGS=1.0 V, VDS=400 V)

    产品特点和优势


    - 低栅电荷 (Qg):减少了驱动要求,简化了电路设计。
    - 增强型坚固性:改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐久性。
    - 完全标定的电容和雪崩电压:确保可靠性和精确度。
    - 符合 RoHS 指令:环保设计,减少对环境的影响。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    IRF842PBF-VB 在一个典型的开关电源设计中被使用,用于控制电源开关以实现高效能量转换。其高耐压和大电流能力使其适用于多种功率转换应用场景。
    使用建议:
    - 确保 PCB 布局合理,避免高频信号干扰。
    - 使用合适的驱动电路,优化门极充电时间。
    - 选择合适的工作温度范围,以保证最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与各种驱动器和电源模块兼容,适用于多种工业和消费电子产品。
    - 厂商支持:
    - 服务热线:400-655-8788
    - 官网:www.VBsemi.com
    - 提供详尽的技术文档和应用指南。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率不稳定 | 检查驱动电路参数,优化门极电荷和充电时间。 |
    | 导通电阻异常 | 确认 VGS 电压设置正确,检查散热措施。 |
    | 过热保护启动频繁 | 检查散热系统设计,增加散热面积。 |

    总结和推荐


    IRF842PBF-VB N-Channel MOSFET 展现了卓越的性能和稳定性,适合于需要高效能、高可靠性的应用场景。其独特的低栅电荷和高耐压能力使其在市场上具有较强的竞争力。推荐给需要高性能 MOSFET 的工程师和设计师们。

IRF842PBF-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 660mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 13A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRF842PBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF842PBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF842PBF-VB IRF842PBF-VB数据手册

IRF842PBF-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
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起订量: 10 增量: 1000
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型号 价格(含增值税)
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