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9410GM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性: - 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。 - 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。 - 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。 - 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。 - 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。 - 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。 - 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
供应商型号: 9410GM-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9410GM-VB

9410GM-VB概述

    N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    N-Channel 30-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种高效能、低阻抗的功率管理器件,主要应用于笔记本电脑CPU核心的高边开关电路。此产品采用了先进的TrenchFET技术,具有卤素自由的优点,能够优化高侧同步整流操作。

    2. 技术参数


    以下是N-Channel 30-V MOSFET的技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):30 V
    - 栅源电压(VGS):± 20 V
    - 持续漏极电流(TJ = 150 °C):
    - TC = 25 °C:18 A
    - TC = 70 °C:16 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):50 A
    - 持续源漏二极管电流(IS):
    - TC = 25 °C:3.8 A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):22 A
    - 雪崩能量(EAS):24 mJ
    - 最大功耗(PD):
    - TC = 25 °C:4.5 W
    - TC = 70 °C:2.8 W
    - 工作结温范围(TJ, Tstg):-55°C 到 150°C
    - 热阻抗(RthJA):38 °C/W
    - 稳态热阻抗(RthJF):22 °C/W
    - 静态参数:
    - 漏源击穿电压(VDS):30 V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10 V时:0.004 Ω
    - VGS = 4.5 V时:0.005 Ω
    - 门限电压(VGS(th)):1.0 V 至 3.0 V
    - 零栅压漏电流(IDSS):1 µA
    - 传输电容(Crss):73 pF
    - 总栅极电荷(Qg):
    - VGS = 10 V时:23 nC
    - VGS = 5 V时:10.2 nC
    - 动态参数:
    - 开启延时时间(td(on)):
    - VDD = 15 V,RL = 1.4 Ω:16 ns
    - 关闭延时时间(td(off)):
    - VDD = 15 V,RL = 1.4 Ω:16 ns
    - 反向恢复时间(trr):15 ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:漏源导通电阻在10 V栅源电压下仅为0.004 Ω,在4.5 V栅源电压下为0.005 Ω,这使得其非常适合于高边开关电路的应用。
    - 优化的栅极电荷:总栅极电荷为23 nC(10 V栅源电压),适合高速开关应用。
    - 100% 测试:100%栅极电阻(Rg)测试和100%单脉冲雪崩能力测试保证了产品质量。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:笔记本电脑CPU核心的高边开关电路,适用于需要高效、低功耗的电源管理系统。
    - 使用建议:
    - 在选择合适的栅极电阻时,应考虑Rg的典型值为0.36 Ω,以优化开关速度和功耗。
    - 应确保散热良好,避免因过热导致器件损坏。例如,在高负载情况下可以考虑加装散热片或风扇。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:此N-Channel MOSFET适用于标准SO-8封装,可方便地与同类产品进行替换。
    - 支持和维护:制造商提供全面的技术支持和售后保障,包括详细的安装指南和故障排查文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:温度过高导致器件损坏。
    - 解决方案:加强散热措施,如加装散热片或风扇,确保工作环境温度不超过150°C。
    - 问题:功耗过大。
    - 解决方案:优化电路设计,适当降低栅极电阻Rg,以减少开关损耗。

    7. 总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel 30-V MOSFET凭借其出色的性能、低导通电阻和优化的设计,在笔记本电脑CPU核心的高边开关电路中表现出色。它不仅具备优秀的电气特性,而且提供了良好的热管理和可靠的支持。因此,我们强烈推荐该产品用于高要求的电源管理系统中。

9410GM-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 18A
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.72V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

9410GM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9410GM-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9410GM-VB 9410GM-VB数据手册

9410GM-VB封装设计

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