处理中...

首页  >  产品百科  >  JCS2N65VB-O-V-N-B-VB

JCS2N65VB-O-V-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: JCS2N65VB-O-V-N-B-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS2N65VB-O-V-N-B-VB

JCS2N65VB-O-V-N-B-VB概述


    产品简介


    JCS2N65VB-O-V-N-B N-Channel MOSFET
    JCS2N65VB-O-V-N-B 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理和各种工业控制设备中。这款 MOSFET 具备低门极电荷、增强的栅极抗浪涌能力和动态 dv/dt 耐压性,使其在复杂的应用环境中表现出色。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | - | 650 | V |
    | 漏源连续电流(TC = 25°C) | ID | - | - | 1.28 | A |
    | 漏源脉冲电流(峰值) | IDM | - | - | 8 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 165 | mJ |
    | 反复雪崩电流 | IAR | - | - | 2 | A |
    | 反复雪崩能量 | EAR | - | - | 6 | mJ |
    | 最大功耗(TC = 25°C) | PD | - | - | 45 | W |
    | 栅极漏电流 | IGSS | - | - | ± 100 | nA |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | - | 25 | µA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 5 | - | Ω |
    | 输入电容 | CISS | - | 417 | - | pF |
    | 输出电容 | COSS | - | 45 | - | pF |
    | 反向转移电容 | CRSS | - | 5 | - | pF |
    | 总栅极电荷 | QG | - | - | 11 | nC |
    | 开启延迟时间 | TD(ON) | - | 14 | - | ns |
    | 上升时间 | TR | - | 20 | - | ns |
    | 关断延迟时间 | TD(OFF) | - | 34 | - | ns |
    | 下降时间 | TF | - | 18 | - | ns |

    产品特点和优势


    - 低门极电荷:门极电荷(Qg)仅为 11 nC,这使得驱动要求简单,减少驱动电路的复杂性。
    - 高可靠性:增强的栅极抗浪涌能力、雪崩和动态 dv/dt 耐压性,适用于严苛的工作环境。
    - 全面表征:包括栅极电容和雪崩电压电流的全面测试和表征,确保产品质量稳定。
    - 符合环保标准:完全符合 RoHS 指令 2002/95/EC,满足环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:用于高频开关电源,提高转换效率。
    - 电机驱动:提供高效稳定的电流控制,适用于各类电机驱动系统。
    - 电池管理:用于电池充电和放电控制,提高电池管理系统的性能。
    使用建议
    - 热管理:由于最大功耗较高,需要进行良好的散热设计,以保证 MOSFET 的正常工作。
    - 驱动电路:建议使用具有较低寄生电感的布局和良好的接地平面设计,以减少寄生效应。
    - 保护措施:在使用过程中应考虑设置过压、过流保护,避免器件损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准 IPAK 封装,与现有设计易于集成。
    - 支持:VBsemi 提供详细的技术支持文档和在线服务,帮助客户解决使用过程中的技术问题。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何正确安装?
    - A: 确保使用规定的扭矩(6-32 或 M3 螺丝,扭矩为 10 lbf·in 或 1.1 N·m),并遵循推荐的焊接温度和时间(峰值温度为 300°C,持续时间为 10 秒)。
    2. Q: 如何判断器件是否过热?
    - A: 监测器件的温度,确保其不超过存储温度范围(-55°C 至 +150°C)。如发现温度异常升高,应采取降温措施或调整负载电流。
    3. Q: 如何处理高dv/dt引起的噪声问题?
    - A: 在驱动电路中加入适当的阻尼网络,减小 dv/dt 幅度。此外,增加 PCB 布局中的接地平面可以有效降低噪声干扰。

    总结和推荐


    JCS2N65VB-O-V-N-B N-Channel MOSFET 具备低门极电荷、高可靠性和良好的电气特性,是一款适合多种应用的高性能器件。其紧凑的设计、高效的热管理和广泛的兼容性使其成为工业控制、电源管理和电机驱动领域的理想选择。强烈推荐使用此产品以获得卓越的性能和稳定性。

    希望这篇文章能够帮助您更好地了解 JCS2N65VB-O-V-N-B N-Channel MOSFET 的各项特性及其应用价值。如果您有任何疑问或需要进一步的信息,请联系我们的服务热线:400-655-8788。

JCS2N65VB-O-V-N-B-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS2N65VB-O-V-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS2N65VB-O-V-N-B-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS2N65VB-O-V-N-B-VB JCS2N65VB-O-V-N-B-VB数据手册

JCS2N65VB-O-V-N-B-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.6556
4000+ ¥ 1.5836
库存: 400000
起订量: 15 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0